Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

4 Applikationshinweise für Thyristoren und Netzdioden
Nennausschaltvermögen I PM
Höchstwert des unbeeinflussten Stromes, den eine Sicherung unter bestimmten Bedingungen
(z.B. wiederkehrende Spannung) ausschalten kann.
Durchlassstrom (einer Sicherung) I (LT)
Höchster Augenblickswert des Stromes, der während des Ausschaltens einer Sicherung erreicht
wird, wenn durch dieses Ausschalten vermieden wird, dass der unbeeinflusste Strom seinen
Höchstwert erreicht (Bild 4.4.17). Dieser Stromwert hat nichts mit dem Durchlassstrom einer
Gleichrichterdiode oder eines Thyristors zu tun!
Unbeeinflusster Strom I P
(prospektiver Strom)
Strom, der auftritt, wenn man sich die Sicherung durch eine impedanzfreie leitende Verbindung
ersetzt denkt (gestrichelte Linie in Bild 4.4.17).
Unbeeinflusster (prospektiver) Kurzschlussstrom I PS
Effektivwert des unbeeinflussten Stromes bei Kurzschluss unmittelbar hinter der Sicherung. Dieser
Wert kann zur genauen Bestimmung des Lösch-i²t-Wertes erforderlich sein.
Schmelzzeit t pa
Zeit zwischen dem Einsetzen eines Stromes, der groß genug ist, den Schmelzleiter zu schmelzen
und dem Entstehen des Lichtbogens (Bild 4.4.17).
Lichtbogenzeit t a
Zeit zwischen dem Entstehen des Lichtbogens und seinem (endgültigen) Erlöschen.
Ausschaltzeit t op
Summe aus Schmelzzeit und Lichtbogenzeit.
Bild 4.4.17 Stromverlauf beim Ausschalten eines Kurzschlusses durch eine Halbleitersicherung mit Strombegrenzung
(Durchlassstrom geringer als der Scheitelwert des unbeeinflussten Stromes);
Schmelzzeit + Lichtbogenzeit = Ausschaltzeit
Zeit-Strom-Kennlinie
Kurve der virtuellen Schmelzzeit oder Ausschaltzeit als Funktion des Effektivwertes des unbeeinflussten
Stromes unter bestimmten Bedingungen. Sie gilt in der Regel für 20°C Ausgangstemperatur.
Schmelz-i²t-Wert (i²t) pa
Integral des Quadrates des unbeeinflussten Stromes über die Schmelzzeit:
259