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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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4 Applikationshinweise für Thyristoren und Netzdioden<br />

Drosseln, Transformatoren, Widerstände usw. sind ja gegen Überströme weit weniger empfindlich<br />

als die Halbleiterbauelemente.<br />

Bei Brückenschaltungen haben jeweils zwei Leistungshalbleiter einen gemeinsamen Wechselstromanschluss.<br />

Man kann sie deshalb durch eine gemeinsame Sicherung in der Wechselstromzuleitung<br />

schützen (Bild 4.4.15b), die man Strangsicherung nennt. Das hat den Vorteil, dass man<br />

weniger Sicherungen braucht und dass die beim Abschmelzen des Schmelzleiters auftretende<br />

Schaltspannung die Halbleiterbauelemente nicht beansprucht. Bei hoher Strombelastung der Thyristoren<br />

oder Gleichrichterdioden, wie sie mit verstärkter Kühlung möglich ist, und bei gleichzeitig<br />

hoher Betriebsspannung kann jedoch der Fall eintreten, dass man keine Sicherung findet, die<br />

einerseits einen ausreichend hohen Nennstrom hat (der Effektivstrom im Strang ist √2 mal höher<br />

als in jedem der beiden Zweige) und deren Ausschalt-i²t-Wert andererseits niedriger ist als der<br />

eines jeden der beiden Halbleiterbauelemente. Dann muss man jedem Brückenzweig eine eigene<br />

Sicherung zuordnen: Zweigsicherung (Bild 4.4.15a). Auch bei Wechselwegschaltungen kann man<br />

meist mit einer gemeinsamen Sicherung auskommen (Bild 4.4.15b2).<br />

a1 a2 b1 b2<br />

Bild 4.4.15 Mögliche Anordnungen der Halbleitersicherungen bei einem Stromrichter in Brückenschaltung<br />

(a1 und b1) und bei der Wechselwegschaltung (a2 und b2); a als Zweigsicherungen bzw. b als<br />

Strangsicherungen<br />

Werden in Geräten für hohe Leistungen Gleichrichterdioden oder Thyristoren parallel geschaltet,<br />

so erhält jedes Halbleiterbauelement eine Sicherung. Das hat u.a. den Vorteil, dass bei Spontanausfall<br />

eines Bauelements oder einer Sicherung das Gerät – mit entsprechend verringerter<br />

Leistung – betriebsfähig bleibt. Auch werden durch die Innenwiderstände der Sicherungen die<br />

Kennlinienunterschiede der Halbleiterbauelemente zum Teil ausgeglichen, so dass die Stromaufteilung<br />

- auch im Kurzschlussfall - gleichmäßiger wird.<br />

Kurzschlussschutz durch Schmelzsicherungen setzt voraus, dass Kurzschlüsse nur sehr selten<br />

auftreten. Es gibt jedoch Anwendungen, in denen der Fall a), also Kurzschluss der Last, häufiger<br />

vorkommt. Dann muss man zusätzlich zu den Schmelzsicherungen, die zum Schutz im Fall b)<br />

und evtl. c) auch hier erforderlich sind, auf der Lastseite einen Gleichstrom-Schnellschalter, einen<br />

Leistungsschalter oder eine Vorrichtung vorsehen, welche die Steuerimpulse der Thyristoren<br />

sperrt (Ansteuersperrung). Selbstverständlich muss dann die Stromrichterschaltung so bemessen<br />

sein, dass bei Kurzschluss der Last während der Ansprechzeit des Schalters der für die Halbleiterbauelemente<br />

zulässige Überstrom nicht überschritten werden kann. Im Falle der Ansteuersperrung<br />

muss während der längstmöglichen Zeitspanne bis zum Nulldurchgang des Stromes durch<br />

die Thyristoren deren Steuerfähigkeit erhalten bleiben. Ferner muss die Schutzeinrichtung auf der<br />

Lastseite so bemessen sein, dass sie rascher anspricht als die Schmelzsicherungen an den Thyristoren<br />

bzw. Gleichrichterdioden. Man bezeichnet das als Selektivität.<br />

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