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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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4 Applikationshinweise für Thyristoren und Netzdioden<br />

kann man sie anstelle der für die dynamische Spannungsaufteilung erforderlichen RC-Glieder<br />

verwenden. Zu beachten ist, dass Avalanche-Dioden die Spannungssteilheit nicht beeinflussen.<br />

Bei der Beschaltung von Thyristoren kann daher unter Umständen ein zusätzliches RC-Glied nach<br />

den Bemessungshinweisen des Kap. 4.4.2.1 erforderlich sein.<br />

4.4.4.3 Grenzen des Anwendungsbereichs<br />

Sehr energiereiche Überspannungen, wie sie z.B. beim Abschalten von Transformatoren im Leerlauf<br />

auftreten, können in der Regel von Silizium-Avalanche-Dioden nicht verarbeitet werden. In<br />

solchen Fällen müssen daher entweder anstelle der oder zusätzlich zu den Avalanche-Dioden<br />

RC-Beschaltungsglieder eingesetzt werden.<br />

4.4.4.4 Gehäuseformen<br />

Kleine Silizium-AvaIanche-Dioden haben Gehäuse mit Drahtanschlüssen, oder sind für das Löten<br />

auf Leiterplatten vorgesehen (SMD). Größere Dioden haben die üblichen Gehäuse mit Schraubstutzen.<br />

Sie werden auch als Brückenschaltungen angeboten. Begrenzerdioden werden auch in<br />

symmetrischen Gehäusen ähnlich wie Sicherungen angeboten, die zwei mit entgegengesetzter<br />

Polarität in Reihe geschaltete pn-Übergänge enthalten. Solche bipolaren Suppressordioden haben<br />

symmetrische Kennlinien, es genügt also eine einzige derartige Diode für den Schutz eines<br />

Thyristors.<br />

4.4.5 Schutz von Dioden und Thyristoren gegen Überstrom<br />

Unter Überstrom wird hier eine Strombelastung des Leistungshalbleiters verstanden, die unter den<br />

gegebenen Kühlbedingungen zu dessen Zerstörung führt, wenn der Strom nicht durch geeignete<br />

Vorrichtungen rechtzeitig abgeschaltet wird. Im Gegensatz zum Kurzschluss, der im nächsten<br />

Kapitel behandelt wird, soll es sich nicht um einen innerhalb weniger Millisekunden steil ansteigenden<br />

Strom handeln.<br />

Ein solche Überlastung kann nicht allein durch eine betriebsmäßig nicht vorgesehene Stromerhöhung<br />

(Überstrom), sondern auch durch eine unbeabsichtigte Veränderung der Kühlbedingungen<br />

hervorgerufen werden. Die Folge ist, dass ein bei funktionierender Kühlung zulässiger Strom nun<br />

das Bauelement ebenfalls überlastet. Als Beispiele seien die Blockierung von Lüftungsschlitzen,<br />

der Ausfall eines Lüfters oder bei Wasserkühlung eine Störung der Kühlwasserzufuhr genannt.<br />

Im folgenden werden einige bewährte Schutzeinrichtungen gegen derartige Überlastungsfälle beschrieben.<br />

Dabei muss man unterscheiden zwischen Schutzeinrichtungen, die nur bei unbeabsichtigter<br />

Stromerhöhung ansprechen und solchen, die nur bei Störungen in der Kühleinrichtung<br />

ansprechen bzw. Vorrichtungen die in beiden Fällen Schutz gewähren.<br />

4.4.5.1 Vorrichtungen zum Schutz gegen Überströme<br />

Leistungsschalter<br />

Leistungsschalter sind wohl die bekanntesten Schutzeinrichtungen gegen Überlastung. Es gibt<br />

Schalter mit thermischer, magnetischer und thermisch-magnetischer Auslösung. Ihre Ansprechzeiten<br />

sind im Bereich unter etwa 1 s, ähnlich wie bei Schmelzsicherungen, vom Überstrom abhängig:<br />

Bei hohem Überstrom wird die Ansprechzeit kürzer. Dieser Zusammenhang wird vom Hersteller<br />

in Form einer Kennlinie angegeben, die mit der Überstrombelastbarkeit des zu schützenden<br />

Halbleiterbauelements verglichen werden kann. Dabei ist zu beachten, dass die Auslöseströme<br />

von Leistungsschaltern ebenso wie die Ströme in den Strom-Zeit-Kennlinien der Sicherungen als<br />

Effektivwerte angegeben werden, die Stoßstrom-Grenzwerte der Halbleiterbauelemente dagegen<br />

Scheitelwerte von Sinus-Halbschwingungen sind. Diese müssen daher für den Vergleich in Effektivwerte<br />

umgerechnet werden.<br />

Im gesamten in Frage kommenden Zeitbereich muss der Auslösestrom des Leistungsschalters<br />

niedriger sein als der für das Halbleiterbauelement im Störungsfall zulässige Überstrom. Ist dies<br />

nicht für den gesamten Zeitbereich realisierbar, so muss eine zusätzliche Schutzeinrichtung, in<br />

der Regel eine Halbleiter-Sicherung, für den nicht abgedeckten Zeitbereich vorgesehen werden.<br />

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