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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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4 Applikationshinweise für Thyristoren und Netzdioden<br />

Bei der Berechnung ändert sich im Vergleich zu Nennbedingungen nur, dass anstatt mit thermischen<br />

Widerständen mit einer thermischen Impedanz gerechnet wird:<br />

T (t) P (t) Z<br />

j<br />

v<br />

th( js)<br />

(t) Z<br />

th(sa)<br />

(t) <br />

<br />

n<br />

P<br />

v _ n<br />

(t) T<br />

a<br />

Der Überlastpuls wird vom Programm in zeitdiskrete Punkte zerlegt und in einer zweiten, äußeren<br />

Iterationsschleife jeweils von t = 0 beginnend der Temperaturverlauf bis zum n-ten Punkt<br />

berechnet. Das Ergebnis sind dann zeitabhängige Temperaturverläufe für das Bauelement. Für<br />

komplizierte Lastverhältnisse kann auch ein Lastzyklus in Tabellenform vorgegeben werden („user<br />

defined load cycle“).<br />

Bild 4.1.14 Auswahl von Gehäuseform und Stromklasse der verfügbaren Bauelemente (Filter: Spannungsklasse)<br />

Nach Auswahl eines geeigneten Bauelementes und Spezifikation der Kühlbedingungen erhält der<br />

Benutzer die Einzelverluste pro Bauelement und die Summe aller auf dem Kühlkörper montierten<br />

Bauelemente, sowie die Chip- und Kühlkörpertemperaturen.<br />

Bild 4.1.15 Ergebnisse der Verlustleistungs- und Temperaturberechnung<br />

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