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3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren High Side Betriebsspannung („floating”) V Bx Typische Spannung zwischen den Anschlüssen: V B1 -U, V B2 -V, V B3 -W High Side Betriebsstrom („floating”) I Bx Betriebsstrom aus V Bx ;Parameter: V Bx = 15 V, V iH = V iL = 0 V Ein- und Ausschaltschwellenspannung V iT+ und V iTan den Treibereingängen Typische Umschalt-Schwellenspannungen zwischen den Eingängen HIN1…3, LIN1…4, /ERRIN und V SS Ausgangsspannung des /ERROUT-Fehlerausgangs V oErr Typische Ausgangsspannung (zwischen /ERROUT und V SS ) des Fehlerspeichers unter Nennbedingungen; Durch die Fehlerfälle „Unterspannung“ oder „externer Fehler (/ERRIN = LOW)“ wird /ERROUT auf LOW-Pegel gesetzt. Ein Rücksetzen ist erst möglich, wenn auslösende Fehler nicht mehr vorhanden sind und sich danach Eingang /ERRIN für min. 9,5 μs auf HIGH-Level sowie die Eingänge HIN1… 3 und LIN1…3 für min. 9,5 μs auf LOW-Level befinden. Ansprechwert der Unterspannungsüberwachung V UV Unterschreitet die Treiber-Versorgungsspannung V CC den Grenzwert V UV , löst die interne Unterspannungsüberwachung eine Fehlermeldung aus, sperrt alle IGBT und setzt den Ausgang /ERROUT auf LOW-Pegel. Rücksetzwert der Unterspannungsüberwachung V UVr Hat der Fehlerspeicher aufgrund Unterspannung angesprochen, ist das Rücksetzen erst möglich, wenn die Treiber-Versorgungsspannung V CC wieder über V UVr angestiegen ist. Verzögerungszeit des Ausschaltens bei einem Überstromfehler t d,ITRIP Verzögerungszeit zwischen Erreichen des Abschaltstroms I TRIP und Ausschalten des TOP- bzw. BOT-IGBT; Parameter: V C = 15 V, V iH = 3,3 V, V iL = 0 V, V ITRIP = 1 V Mindesteingangsimpulsbreiten (Kurzimpulsunterdrückung) t SPS Mindestimpulsbreiten für Ein- und Ausschaltsignale - Impulse kleinerer Länge werden unterdrückt Totzeit t TD (interlock dead time) zwischen dem Einschalten der IGBT Der MiniSKiiP IPM erzeugt eine Totzeit von 450 ns. Liegt an beiden Steuereingängen HIN/LIN eines Kanals HIGH-Level an, werden TOP- und BOT- IGBT ausgeschaltet. Es erfolgt keine Fehlermeldung. 213
3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren 214
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Applikationshandbuch Leistungshalbl
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Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
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Inhalt 1 Betriebsweise von Leistung
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3.3.1 Grenzwerte...................
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2 Grundlagen 2 Grundlagen 2.1 Einsa
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2 Grundlagen 1200V I RRM Diode V IG
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2 Grundlagen Bild 2.4.9 Entwicklung
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3 Datenblattangaben für MOSFET, IG
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5 Applikationshinweise für IGBT- u
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v CE V CE/SC(on) V CE/SC(off) 5 App
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