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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren<br />

High Side Betriebsspannung („floating”) V Bx<br />

Typische Spannung zwischen den Anschlüssen: V B1<br />

-U, V B2<br />

-V, V B3<br />

-W<br />

High Side Betriebsstrom („floating”) I Bx<br />

Betriebsstrom aus V Bx<br />

;Parameter: V Bx<br />

= 15 V, V iH<br />

= V iL<br />

= 0 V<br />

Ein- und Ausschaltschwellenspannung V iT+<br />

und V iTan<br />

den Treibereingängen<br />

Typische Umschalt-Schwellenspannungen zwischen den Eingängen HIN1…3, LIN1…4, /ERRIN<br />

und V SS<br />

Ausgangsspannung des /ERROUT-Fehlerausgangs V oErr<br />

Typische Ausgangsspannung (zwischen /ERROUT und V SS<br />

) des Fehlerspeichers unter Nennbedingungen;<br />

Durch die Fehlerfälle „Unterspannung“ oder „externer Fehler (/ERRIN = LOW)“ wird<br />

/ERROUT auf LOW-Pegel gesetzt. Ein Rücksetzen ist erst möglich, wenn auslösende Fehler nicht<br />

mehr vorhanden sind und sich danach Eingang /ERRIN für min. 9,5 μs auf HIGH-Level sowie die<br />

Eingänge HIN1… 3 und LIN1…3 für min. 9,5 μs auf LOW-Level befinden.<br />

Ansprechwert der Unterspannungsüberwachung V UV<br />

Unterschreitet die Treiber-Versorgungsspannung V CC<br />

den Grenzwert V UV<br />

, löst die interne Unterspannungsüberwachung<br />

eine Fehlermeldung aus, sperrt alle IGBT und setzt den Ausgang<br />

/ERROUT auf LOW-Pegel.<br />

Rücksetzwert der Unterspannungsüberwachung V UVr<br />

Hat der Fehlerspeicher aufgrund Unterspannung angesprochen, ist das Rücksetzen erst möglich,<br />

wenn die Treiber-Versorgungsspannung V CC<br />

wieder über V UVr<br />

angestiegen ist.<br />

Verzögerungszeit des Ausschaltens bei einem Überstromfehler t d,ITRIP<br />

Verzögerungszeit zwischen Erreichen des Abschaltstroms I TRIP<br />

und Ausschalten des TOP- bzw.<br />

BOT-IGBT; Parameter: V C<br />

= 15 V, V iH<br />

= 3,3 V, V iL<br />

= 0 V, V ITRIP<br />

= 1 V<br />

Mindesteingangsimpulsbreiten (Kurzimpulsunterdrückung) t SPS<br />

Mindestimpulsbreiten für Ein- und Ausschaltsignale - Impulse kleinerer Länge werden unterdrückt<br />

Totzeit t TD<br />

(interlock dead time) zwischen dem Einschalten der IGBT<br />

Der MiniSKiiP IPM erzeugt eine Totzeit von 450 ns.<br />

Liegt an beiden Steuereingängen HIN/LIN eines Kanals HIGH-Level an, werden TOP- und BOT-<br />

IGBT ausgeschaltet. Es erfolgt keine Fehlermeldung.<br />

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