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3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren Zusätzlich muss berücksichtigt werden, dass I AC-terminal auf 400 A RMS je Halbbrücke (fold) begrenzt ist und der höchstzulässige Kollektorstrom I C temperaturabhängig ist. Eine weitere Begrenzung existiert für den Stromanstieg di/dt des Stromsensorausgangsstromes des SKiiP (Tabelle 3.6.1). SKiiP Typ di/dt [A/µs] pro AC- Terminal di/dt [A/µs] für verbundene AC-Terminals GD 150 ---- 2fold 150 300 3fold 150 450 4fold 150 600 Tabelle 3.6.1 Höchstzulässige Stromanstiegsgeschwindigkeiten der SKiiP3 Für die ältere Baureihe SKiiP2 gilt – abweichend hiervon - eine Begrenzung f out ≤ 1 kHz, da deren Stromsensorelektronik nicht für höhere Frequenzen geeignet ist. 3.6.1.3 Kennwerte des SKiiP-Leistungsteils Auch die Kennwerte werden für das Leistungsteil und den Treiber getrennt voneinander spezifiziert. Umfang und tabellarischer Aufbau der Kennwertangaben entsprechen im Wesentlichen den Angaben für die IGBT-Module, wobei dem Anwender beim SKiiP nicht zugängliche Parameter entfallen und einige „Systemparameter“ zusätzlich aufgenommen sind. Bild 3.6.8 Datenblattauszug SKiiP-Kennwerte 203
3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung V CE(sat) vgl. Kap. 3.3.2.1 Die Angabe bezieht sich für SKiiP auf die an den Leistungsterminals gemessene Sättigungsspannung, d.h. Spannungsabfälle über den modulinternen Leitungswiderständen R CC’+EE’ (Bonddrähte, Terminals, …) sind in V CE(sat) enthalten. Parameter: I C , T j = 25°C/125°C Schleusenspannung V CE0 und differenzieller Ersatzwiderstand r CE der Durchlasskennlinien- Approximation vgl. Kap. 3.3.2 Die Angabe bezieht sich für SKiiP auf die an den Leistungsterminals gemessene Sättigungsspannung, d.h. Spannungsabfälle über den modulinternen Leitungswiderständen R CC’+EE’ sind enthalten. Parameter: T j = 25°C/125°C Kapazität zwischen SKiiP und Kühlkörper C CHC Kapazität zwischen einer SKiiP-Phase und dem Kühlkörper, gemessen zwischen AC-Ausgang und Kühlkörperpotential; Parameter: Gehäusetemperatur T c = 25°C Durchlassspannung einer Inversdiode V F = V EC Kollektor-Emitter-Spannung in Rückwärtsrichtung, vgl. Kap. 3.3.2 Mechanische Kennwerte M dc , M ac , w M dc : Anzugsdrehmoment der DC-Anschlussterminals (Mindest- und Höchstwert) M ac : Anzugsdrehmoment der AC-Anschlussterminals (Mindest- und Höchstwert) w: Gewichte des SKiiP ohne Kühlkörper und des SEMIKRON Standardkühlkörpers Thermische Impedanzen Z th(j-r)I je IGBT und Z th(j-r)D je Inversdiode sowie Z th(r-a) In den SKiiP-Datenblättern sind die thermischen Impedanzen numerisch als Parameter R i und t i eines 4 Zeitkonstanten-Modells dargestellt (vgl. Kap. 3.3.2). Als Bezugspunkt für die Temperaturen und Wärmeströme im SKiiP-Modul ist der integrierte Temperatursensor „r“ festgelegt, dessen Temperatur zwischen Chiptemperatur und Kühlkörpertemperatur liegt (Bild 3.6.9). Mit Z th(j-r)I und Z th(j-r)D sind die thermischen Impedanzen zwischen IGBT- bzw. Diodenchips und Bezugspunkt Temperatursensor bezeichnet, mit Z th(r-a) die thermische Impedanz zwischen Temperatursensor und Kühlmedium. Chip (junction) P v source T j Sensor (reference) T r Z th(j-s) Z th(j-r) T x(t) T y Pv (Heat-)Sink T S Z Z th(r-a) th(s-a) Z th (xy ) (t) Ambient (air, water) T a Bild 3.6.9 Thermisches Modell eines SKiiP mit Temperatursensor 204
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Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
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3 Datenblattangaben für MOSFET, IG
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5 Applikationshinweise für IGBT- u
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