Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
Die Halbbrücken werden durch einen gemeinsamen Treiber angesteuert, besitzen jedoch jeweils
separat herausgeführte Leistungsanschlüsse (DC+, AC, DC-), die kundenseitig entsprechend verschaltet
werden müssen (Beispiel Bild 3.6.4).
Bild 3.6.4 Leistungsanschlüsse eines SKiiP3
Für den erfolgreichen Einsatz der SKiiP-Module müssen außer den typenspezifischen Datenblättern
die für alle Typen der Produktgruppe SKiiP geltenden „Technical Explanations“ beachtet werden,
die unter www.semikron.com eingesehen werden können. Bild 3.6.5 zeigt die grundsätzliche
Datenblattstruktur eines SKiiP-Moduls.
SKiiP 2403GB172-4DWV3
Absolut Maximum Ratings
Symbol Conditions Values Units
IGBT
SKiiP ® 3
2-pack-integrated
intelligent Power System
Inverse diode
Power section
SKiiP 2403GB172-4DW V3
Preliminary Data
Characteristics
Symbol Conditions min. typ. max. Units
IGBT
Power section features
Inverse diode
1)
8)
Mechanical data
Thermal characteristics (NWK 40; 8I/min; 50%glyc.); "s" reference to heat
sink; "r" reference to built-in temperature sensor (acc. IEC 60747-15)
*The specifications of our components may not be considered as an assurance of
component characteristics. Components have to be tested for the respective
application. Adjustments may be necessary. The use of SEMIKRON products in
Case S43
life support appliances and systems is subject to prior specification and written
approval by SEMIKRON. We therefore strongly recommend prior consultation of
our personal.
1 11-08-2009 HER © by SEMIKRON
Bild 3.6.5 Datenblattstruktur von SKiiP-Modulen
Im Gegensatz zu den Datenblättern der konventionellen Leistungsmodule enthalten die SKiiP-
Datenblätter keine Diagramme. Blatt 1 beschreibt das Leistungsteil und enthält neben der Bezeichnung
und einer Ansicht des Moduls tabellarisch dessen Grenzwerte und Kennwerte. Die
Kennwerte sind in minimale, typische und maximale Angaben unterteilt. Im grau unterlegten Be-
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