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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren<br />

Derzeit werden 3 Generationen SKiiP gefertigt, SKiiP2 mit NPT-IGBT, SKiiP3 mit Trench-IGBT3<br />

und SKiiP4 mit Trench-IGBT4. Alle SKiiP enthalten 2 bis 4 (bei SKiiP4 auch 6) auf einem Kühlkörper<br />

aneinander gereihte, gleichartige Halbbrücken („folds“) mit IGBT und Dioden für 1200 V oder<br />

1700 V Sperrspannung. Bild 3.6.3 zeigt hierzu die unterschiedlichen Schaltungstopologien „GB“<br />

(Halbbrücke), „GH“ (2-Phasen H-Brücke), „GD“ (3-Phasen Inverter) und „GDL“ (3-Phasen-Inverter<br />

mit Bremschopper).<br />

SKiiP: 2-fold "GB" (Case S2; S23)<br />

SKiiP: 3-fold "GB" (Case S3; S33)<br />

+<br />

+<br />

~<br />

~<br />

-<br />

-<br />

Driver<br />

Driver<br />

SKiiP: 4-fold "GB" (Case S4; S43)<br />

SKiiP: 3-fold "GD" (Case S3; S33)<br />

+<br />

~<br />

+<br />

U<br />

V<br />

W<br />

-<br />

Driver<br />

-<br />

Driver<br />

only SKiiP2: 4-fold "GH" (Case S5GH)<br />

only SKiiP2: 4-fold "GDL" (Case S5GDL)<br />

+<br />

+<br />

U<br />

V<br />

U<br />

V<br />

W<br />

BR<br />

-<br />

-<br />

Driver<br />

Driver<br />

Driver<br />

Driver<br />

only SKiiP4: 6-fold "GB"<br />

+<br />

~<br />

-<br />

Driver<br />

Bild 3.6.3 SKiiP-Topologien<br />

199

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