Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
[Fig. 8] Derating der zulässigen Drain-Source-Spannung in Abhängigkeit von der Abkommutierungssteilheit
des Drainstroms
Mit Verkürzung der Ausschaltzeit (Erhöhung des -i D
/dt) steigt die an den modulinternen Induktivitäten
(Terminals, Bondung, …) entstehende Überspannung, d.h., die mögliche Betriebsspannung
V DD
, an welcher der MOSFET schalten darf, sinkt (vgl. Kap. 5.1.1). Bild 3.4.11 zeigt diese Abhängigkeit
V DD
= f (-di D
/dt ≈ I D
/t f
).
300
V
200
100
V DS
0
0 -di/dt 1 2 3 kA/μs 4
Bild 3.4.11 Derating der Drain-Source-Spannung in Abhängigkeit von der Abkommutierungssteilheit des
Drainstroms
[Fig. 9] Typische Abhängigkeit der internen Kapazitäten von der Drain-Source-Spannung
In Kap. 2.4 wurde ausführlich auf die Ursachen und das Verhalten der internen Kapazitäten von
Leistungs-MOSFET eingegangen. Die Angaben in den Kennwerten (siehe auch Parameter/Messbedingungen)
und in Bild 3.4.12 zeigen die Spannungsabhängigkeit der Kleinsignal-Kapazitäten
des ausgeschalteten MOSFET und sind für die Auslegung von Leistungsschaltern nur von
sehr untergeordneter Bedeutung – diese kann besser anhand des Gateladungsdiagramms aus
Bild 3.4.13 erfolgen.
1000
nF
V GS = 0 V
f = 1 MHz
100
10
C
iss
C
C
Crss
1
0 V DS 10 20 30 V 40
Bild 3.4.12 Typische Abhängigkeit der internen Kapazitäten von der Drain-Source-Spannung
oss
194