Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
[Fig. 4] Typische Übertragungskennlinie I D
= f(V GS
)
Die in Bild 3.4.7 dargestellte Übertragungskennlinie beschreibt das Verhalten des MOSFET im
aktiven Bereich bei V DS
= 25 V (Linearbetrieb). Der Drainstrom ist über I D
= g fs
* (V GS
- V GS(th)
) mit
der Gate-Source-Spannung verkoppelt.
400
A
300
t p = 80 μs
V = 25 V
DS
200
100
I D
0
0 V 2 4 6 8 V 1 0
GS
Bild 3.4.7 Typische Übertragungskennlinie I D
= f(V GS
)
[Fig. 5] Typische Abhängigkeit des Einschaltwiderstandes von der Chiptemperatur
Bild 3.4.8 zeigt den Anstieg des Einschaltwiderstandes R DS(on)
mit der Temperatur.
30
Ω
20
98%
10
typ.
R
DS(on)
0
0 T 50 100 °C 150
j
Bild 3.4.8 Typische Abhängigkeit des Einschaltwiderstandes von der Chiptemperatur
Im Betriebstemperaturbereich 25...150°C verdoppelt sich R DS(on)
etwa. Aus dem positiven Temperaturkoeffizienten
der Durchlassspannung resultieren auch Vorteile, wie relativ einfache Parallelschaltbarkeit
und hohe Robustheit.
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