Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
[Fig. 2] Höchstzulässiger sicherer Arbeitsbereich im Einzelpulsbetrieb (SOA)
1000
ID
A
T = 25 °C
C
T 150 °C
j ≤
100 µs
100
10
Not for
linear use
1 ms
10 ms
1
1 10 100 V V 1000
DS
Bild 3.4.5 Höchstzulässiger sicherer Arbeitsbereich im Einzelpulsbetrieb (SOA)
Beim harten Schalten muss der MOSFET einen nahezu rechteckigen Arbeitspunktverlauf i= f(v)
zwischen V DD
und I L
realisieren. Inwieweit er dies in den verschiedenen Betriebszuständen ohne
Zerstörungsgefahr kann, wird in den SOA- (Safe Operating Area-) Diagrammen beschrieben.
Für die Erklärung des Diagramms und der einzelnen Begrenzungen gelten die Aussagen aus
Kap. 3.3.4 analog. MOSFET-Module dürfen nur im Schaltbetrieb den linearen Kennlinienbereich
durchfahren. Längerer Analogbetrieb ist unzulässig, da hier aufgrund von Streuungen zwischen
den Chips vorhandene Unsymmetrien und negative Temperaturkoeffizienten der Schwellenspannungen
thermische Instabilitäten verursacht werden können.
[Fig. 3] Typische Ausgangskennlinien I D
= f(V DS
) in Vorwärtsrichtung
Bild 3.4.6 zeigt das Ausgangskennlinienfeld (typische Werte) mit V GS
als Parameter (vgl. Kap. 2.4.3)
500
A
400
300
V
GS
= 20 V 10 V 8 V
t p = 80 μs
T j = 25 °C
7 V
6.5 V
6 V
200
100
5.5 V
5 V
I D
4 V
0
0 V 2 4 6 8 V 1 0
CC
4.5 V
Bild 3.4.6 Typische Ausgangskennlinien I D
= f(V DS
) in Vorwärtsrichtung
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