Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
3.4.2.3 Mechanische Kennwerte des Moduls
In den Datenblättern werden als mechanische Kennwerte angegeben:
Anzugsdrehmoment M 1
, M s
der Befestigungsschrauben (Mindest- und Höchstwert),
Anzugsdrehmoment M 2
, M t
der Anschlussterminals (Mindest- und Höchstwert),
Gewicht w des Moduls.
3.4.3 Diagramme
Der Reihenfolge in den Datenblättern folgend, enthält dieses Kapitel einige Hinweise zu den im
Datensatz von MOSFET-Modulen enthaltenen Diagrammen, die sich im Allgemeinen auf einen
Teil-MOSFET/eine Freilaufdiode beziehen. Nicht alle der aufgeführten Diagramme sind in den
Datenblättern aller Modulfamilien enthalten. Wird ein aufgeführtes Diagramm in anderen Kapiteln
noch detaillierter erklärt, erfolgt ein Verweis dorthin.
[Fig. 1] Höchstzulässige Gesamtverlustleistung P D
als Funktion der Gehäusetemperatur T c
1000
W
800
Tj ≤ 150 °C
600
400
200
P
D
0
0 T c 50 100 °C 150
Bild 3.4.4 Höchstzulässige Gesamtverlustleistung P D
als Funktion der Gehäusetemperatur T c
Ausgehend von der definitionsgemäß bei T c
= 25°C als Grenzwert aufgeführten, höchstzulässigen
Verlustleistung P D
(25°C) = (T j(max)
– 25K)/R th(j-c)
je MOSFET, enthält Bild 3.4.4 das Derating der Verlustleistung
in Abhängigkeit von der Gehäusetemperatur.
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