Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
Gate-Source-Spannung V GSS
Höchstzulässige Spannung zwischen Gate- und Sourcekontakt der MOSFET-Chips; Parameter:
Gehäusetemperatur T c
= 25°C
Drain-Gleichstrom I D
Höchstzulässiger Dauergleichstrom über den Drainanschluss, bei dem die höchstzulässige Chiptemperatur
erreicht wird; Parameter: Gehäusetemperatur, T c
= 25°C/80°C, bei bodenplattenlosen
Modulen Kühlkörpertemperatur T s
= 25°C/80°C; bei in PCBs einlötbaren Modulen (SEMITOP) zusätzlich
maximale PCB-Temperatur an den Anschlussterminals; Chiptemperatur T j
= T j(max)
I D
ergibt sich für Module mit Bodenplatte aus
2
I D
= P tot(max)
/R DS(on)
mit P tot(max)
= (T j(max)
– T c
)/R th(j-c)
,
für Module ohne Bodenplatte aus
2
I D
= P tot(max)
/R DS(on)
mit P tot(max)
= (T j(max)
– T s
)/R th(j-s)
.
Da I D
ein rein statischer Maximalwert ist, kann dieser im Schaltbetrieb nicht ausgenutzt werden.
Periodischer Drainstrom-Spitzenwert I DM
Höchstzulässiger Scheitelwert des Stromes über dem Drainanschluss im Pulsbetrieb; Parameter:
Pulsbreite t p
, Gehäusetemperatur T c
= 25°C oder 80° und Puls-Pausen-Verhältnis
Betriebstemperaturbereich T j
; T j(min)
...T j(max)
Bereich der zulässigen Chiptemperatur, innerhalb dessen der Leistungs-MOSFET betrieben werden
darf; Für den Dauerbetrieb wird ein Mindestabstand der Chiptemperatur zu T j(max)
von 25 K
empfohlen.
3.4.1.2 Grenzwerte der Inversdioden (Leistungs-MOSFET in Rückwärtsrichtung)
Inversdioden-Durchlassstrom (Drain-Gleichstrom in Rückwärtsrichtung) I F
= -I D
Höchstzulässiger Wert des Gleichstromes über den Drainanschluss in Rückwärtsrichtung; Grenzwert
und Parameter sind identisch mit den Angaben für Vorwärtsrichtung.
Periodischer Spitzenwert I FM
= -I DM
des Inversdioden-Durchlassstroms
Höchstzulässiger Scheitelwert des Stromes über den Drainanschluss im Pulsbetrieb; Grenzwert
und Parameter sind identisch mit den Angaben für Vorwärtsrichtung.
Betriebstemperaturbereich T j
; T j(min)
...T j(max)
Bereich der zulässigen Chiptemperatur, innerhalb dessen die Inversdiode betrieben werden darf;
Für den Dauerbetrieb wird ein Mindestabstand der Chiptemperatur zu T j(max)
von 25 K empfohlen.
Grenzwert und Parameter sind identisch mit den Angaben für Vorwärtsrichtung.
3.4.1.3 Grenzwerte des Modulaufbaus
Lagertemperaturbereich T stg
; T stg(min)
...T stg(max)
)
Temperaturbereich, innerhalb dessen das Bauelement ohne elektrische Beanspruchung gelagert
oder transportiert werden darf
Löttemperatur T sol
der Anschlussterminals (für Module mit Lötanschlüssen)
Höchstzulässige Temperatur der Anschlussterminals beim Einlöten in eine PCB; Parameter: Einwirkungsdauer,
siehe Montagevorschriften im Kap. 6.3.4
Isolationsprüfspannung V isol
Effektivwert der zulässigen Prüfspannung (Wechselspannung 50 Hz) zwischen den kurzgeschlossenen
Anschlüssen und dem isolierten Modulboden; Parameter: Prüfzeit (1 min oder 1 s), Details
siehe Kap. 5.1.1.2
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