Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
300
[A]
V CC = 600 V
T j = 150 °C
V GE = ± 15 V
I = 300 A
F
R G [ ] =
2.4
1.9
1.4
200
3.4
6.4
100
I RRM
0
0 di /dt 2000 4000 [A/µs] 6000
F
Bild 3.3.25 Rückstromspitze der Freilaufdiode (CAL-Diode) eines IGBT-Moduls
[Fig. 12] Typische Sperrverzögerungsladung Q rr
einer Inversdiode in Abhängigkeit von der
Kommutierungssteilheit –di F
/dt und dem Durchlassstrom I F
vor dem Abschalten
Für Arbeitspunkte mit hoher Dioden-Auslastung sind in Bild 3.3.26 typische Werte der Sperrverzögerungsladung
Q rr
in Abhängigkeit von der (Ab-) Kommutierungssteilheit –di F
/dt beim Ausschalten
der Diode und vom vorher geflossenen Durchlassstrom I F
dargestellt. -di F
/dt wird durch die
Einschaltgeschwindigkeit des den Strom übernehmenden IGBT (di C
/dt) bestimmt, die abhängig
von dessen Gatevorwiderstand R G
= R Gon
ist. Als Dimensionierungshilfe sind in diesem Diagramm
für eine spezifizierte Steuerspannung den di F
/dt – Werten Widerstandsangaben für R G
= R Gon
des
einschaltenden IGBT zugeordnet. Die Sperrverzögerungsladung der Freilaufdiode steigt mit dem
Kollektorstrom und geringfügig mit der Kommutierungssteilheit.
80
[µC]
60
R G [ ] =
1.9 1.4
2.4
3.4
6.4
600
450
300
40
150
20
Q rr
V CC = 600 V
T j = 150 °C
V = ± 15 V
GE
75
= I [A] F
0
0 di /dt 2000 4000
[A/µs]
6000
F
Bild 3.3.26 Sperrverzögerungsladung der Freilaufdiode (CAL-Diode) eines IGBT-Moduls
180