Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
[Fig. 10] Typische Durchlasskennlinien einer Inversdiode I F
= -I C
= f(V F
) einschließlich R CC’+EE’
Bild 3.3.24 zeigt Durchlasskennlinien einer Inversdiode für T j
= 25°C und 125/150°C (typische
Werte). Im Gegensatz zu den tabellarischen Kennwertangaben ist hier der Spannungsabfall über
den Modulanschlüssen dargestellt, d.h. V F
einschließlich der Spannungsabfälle über den parasitären
Terminalwiderständen R CC’+EE’
. Erkennbar sind die unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten
der Durchlassspannung V F
: negativ bei niedrigen und positiv bei hohen Strömen.
[A]
600
450
300
150
T = 150 °C
j
T j = 25 °C
I F
0
0 1 2 3
[V]
4
V F
Bild 3.3.24 Durchlasskennlinien einer Inversdiode (CAL Diode)
[Fig. 11] Typische Rückstromspitze I RRM
einer Inversdiode in Abhängigkeit von der Kommutierungssteilheit
–di F
/dt des Durchlassstroms I F
Für einen typischen Arbeitspunkt mit hoher Dioden-Auslastung enthält Bild 3.3.25 typische Werte
des Rückstromscheitelwertes I RRM
der Inversdiode in Abhängigkeit von der (Ab-) Kommutierungssteilheit
–di F
/dt beim Ausschalten der Diode. Die Einschaltgeschwindigkeit des den Strom übernehmenden
IGBT (di C
/dt) bestimmt abhängig von dessen Gatevorwiderstand R g
=R gon
das -di F
/dt
der Diode. Als Dimensionierungshilfe sind in diesem Diagramm den di F
/dt-Werten Widerstandsangaben
für R G
= R Gon
des einschaltenden IGBT zugeordnet. Die Rückstromspitze der Freilaufdiode
wächst mit dem Kollektorstrom und der Kommutierungssteilheit.
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