Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
schaltverzögerungszeit), t r
(Anstiegszeit), t d(off)
(Ausschaltverzögerungzeit) und t f
(Fallzeit) in Abhängigkeit
vom Kollektorstrom I C
.
1000
[ns]
t doff
t don
t f
T = 150 °C
100
t r
t
j
V
V
I
C
CC
GE
= 600 V
= ± 15 V
= 300 A
10
0 R G 2 4 6 [ ]
8
Bild 3.3.22 Ein- und Ausschaltzeiten eines IGBT und Freilaufdiode als Funktion des Gatewiderstands
[Fig. 9] Typische thermische Impedanzen Z th(j-c)
oder Z th(j-s)
von IGBT und Inversdiode
Bild 3.3.23 enthält eine doppelt logarithmische Darstellung der thermischen Impedanzen Z th(j-c)
zwischen Chip und Gehäuse von IGBT und Inversdiode im Einzelimpulsbetrieb als Funktion der
Pulsdauer t p
, vgl. auch Erklärungen zu den Kennwerten Z th
.
Bei Modulen ohne Bodenplatte (z.B. SEMITOP, SKiM, MiniSKiiP) ist die einzelne Bestimmung von
Z th(j-c)
nicht möglich. Stattdessen wird hier Z th(j-s)
je IGBT bzw. Dioden (alle parallel geschalteten
Chips jeweils zusammengefasst) angegeben. Die in Bild 3.3.23 dargestellten thermischen Impedanzen
im Einzelpulsbetrieb charakterisieren den Anstieg der Chiptemperatur während eines definierten
Verlustleistungspulses bei festgehaltener Bodenplattentemperatur (Z th(j-c)
) bzw. Kühlkörpertemperatur
(Z th(j-s)
). Nach erfolgtem Temperaturausgleich erreichen Z th(j-c)
bzw. Z th(j-s)
als statischen
Endwert R th(j-c)
bzw. R th(j-s)
.
1
[K/W] single pulse
0.1
diode
IGBT
0.01
0.001
Z
th(j-c)
0.0001
0.00001
t
0.0001 0.001 0.01 0.1
[s]
1
P
Bild 3.3.23 Thermische Impedanzen von IGBT und Inversdiode eines Bodenplattenmoduls
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