Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
600
[A]
450
T j = 175 °C
V 15 V
GE ≥
300
150
I
C
0
0 50 100 150 200
T
[°C]
C
Bild 3.3.16 Kollektorstrom-Derating als Funktion der Gehäusetemperatur
[Fig. 3] Typische Ein- und Ausschaltverlustenergien E on
, E off
und E rr
in Abhängigkeit vom
Kollektorstrom I C
Für einen typischen Arbeitspunkt mit hoher IGBT-Auslastung zeigt Bild 3.3.17 die in der Messschaltung
mit ohmsch-induktiver Last ermittelten Ein- und Ausschaltverlustenergien E on
, E off
des
IGBT und der Ausschaltverlustenergie E rr
der Inversdiode in der Anwendung als Freilaufdiode in
Abhängigkeit vom Kollektorstrom I C
. Durch Multiplikation mit der Schaltfrequenz f kann die jeweilige
Schaltverlustleistung bestimmt werden.
100
[mJ]
80
T j = 150 °C
V CC = 600 V
V GE = ± 15 V
R G = 1,9 Ω
E on
E off
60
40
20
E rr
E
0
0 IC
200 400 600 [A]
Bild 3.3.17 Ein- und Ausschaltverlustenergien von IGBT und Freilaufdiode als Funktion des Kollektorstroms
[Fig. 4] Typische Ein- und Ausschaltverlustenergien E on
, E off
und E rr
in Abhängigkeit der externen
Gatevorwiderstände R G
(R Gon
, R Goff
)
Für einen typischen Arbeitspunkt mit hoher IGBT-Auslastung zeigt Bild 3.3.18 für unterschiedliche
externe Gatevorwiderstände R G
die in der Messschaltung mit ohmsch-induktiver Last ermittelten
Ein- und Ausschaltverlustenergien E on
, E off
des IGBT und der Ausschaltverlustenergie E rr
der im
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