Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
thw
0
i
2
FS
dt I
t hw
:
2
FSM
t
hw
2
Dauer der Sinus-Halbschwingung, für die I FSM
gilt (z.B. 10 ms bei 50 Hz)
Betriebstemperaturbereich T j
; T j(min)
...T j(max)
Bereich der zulässigen Inversdioden-Chiptemperatur, innerhalb dessen das IGBT-Modul betrieben
werden darf. Für den Dauerbetrieb wird eine Unterschreitung von T j(max)
um min. 25 K empfohlen.
3.3.1.3 Grenzwerte des Modulaufbaus
Durchlassstrom-Effektivwert I t(RMS)
Höchstzulässiger Effektivwert des Durchlassstromes, gemittelt über eine volle Periode der Betriebsfrequenz;
Der höchstzulässige Wert gilt für beliebige Stromkurvenformen, Stromflusswinkel
und Kühlbedingungen. Er ist begrenzt durch die Strombelastbarkeit der inneren Verbindungen und
äußeren Terminals des IGBT-Moduls.
Lagertemperaturbereich T stg
; T stg(min)
...T stg(max)
Temperaturbereich, innerhalb dessen das Bauelement ohne elektrische Beanspruchung gelagert
oder transportiert werden darf; T stg(max)
entspricht bei SEMIKRON-Modulen der höchstzulässigen
Gehäusetemperatur im Betrieb.
Löttemperatur T sol
der Anschlussterminals (für Module mit Lötanschlüssen)
Höchstzulässige Temperatur der Anschlussterminals beim Einlöten in eine PCB; Parameter: Einwirkungsdauer,
siehe Montagevorschriften im Kap. 6.3.4
Isolationsprüfspannung V isol
Effektivwert der zulässigen Prüfspannung (Wechselspannung 50 Hz) zwischen den kurzgeschlossenen
Anschlüssen und dem isolierten Modulboden; Parameter: Prüfzeit (1 min oder 1 s), Details
siehe Kap. 5.1.1.2
3.3.2 Kennwerte
Auch die Kennwerte werden in den Datenblättern für die verschiedenen Komponenten eines
IGBT-Moduls getrennt spezifiziert. Alle Kennwerte beziehen sich wiederum auf einen Schalter,
unabhängig von der Anzahl der im Transistormodul tatsächlich je Schalter parallel geschaltete
IGBT- oder Diodenchips.
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