Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
1 Modul, Gesamtverlustleistung P Vtot
als Funktion des Durchlassstrom-Effektivwertes I RMS
bei Vollaussteuerung
2 Module in Zweipuls-Brückenschaltung(B2), Gesamtverlustleistung P Vtot
als Funktion des gleichgerichteten
Stromes I D
bei Vollaussteuerung für Widerstandslast (R) und für induktive Last (L)
3 Module in Sechspulsbrückenschaltung (B6) sowie in dreiphasiger Wechselwegschaltung (W3),
Gesamtverlustleistung P Vtot
als Funktion des gleichgerichteten Stroms I D
bzw. des Betriebsstromes
für eine Phase (Effektivwert) I RMS
.
Bei den Diagrammen für 1, 2 und 3 Module gilt: für die links senkrecht aufgetragene Verlustleistung
P Vtot
ist die rechts aufgetragene Gehäusetemperatur T c
zulässig. Die übrigen Diagramme
entsprechen denen der diskreten Dioden und Thyristoren.
3.3 IGBT-Module
Bei Auswahl oder Vergleich der Eigenschaften von IGBT-Modulen anhand der Datenblattangaben
muss beachtet werden, dass die Datenblattangaben unterschiedlicher Halbleiterhersteller aufgrund
unterschiedlicher Spezifikationsbedingungen oft nur sehr begrenzt direkt vergleichbar sind.
Wegen komplexer, applikationsabhängiger Wechselwirkungen zwischen den Bauteileigenschaften
sind hierzu in vielen Fällen begleitende Messungen zwingend erforderlich.
Historisch gewachsen, weisen auch SEMIKRON-Datenblätter unterschiedlicher IGBT-Modulgenerationen
und unterschiedliche Modulbauformen, Unterschiede in Struktur, Datenumfang und
Spezifikationsbedingungen auf. Da im Rahmen der Produktpflege eine Vereinheitlichung erfolgen
wird, soll nachfolgend im Wesentlichen auf die Datenblätter des neuesten Standes 01/2010 eingegangen
werden, d.h. bei IGBT-Modulen für Bauteile der neuesten IGBT4 Chipgeneration, vgl.
Bild 3.3.1. Wo erforderlich, wird ggf. auf abweichende Datenblattstrukturen noch in Fertigung befindlicher,
älterer Module hingewiesen.
Viele wichtige, einheitlich für alle Typen einer Produktgruppe geltenden Grenz- und Kennwertangaben
und Applikationshinweise für SEMIKRON IGBT-Module sind nicht in den typbezogenen
Datenblättern, sondern in den „Technical Explanations“ der Produktgruppe enthalten, wie z.B. die
in Kap. 3.3.4 erläuterten Angaben zu den höchstzulässigen sicheren Arbeitsbereichen.
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