Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
1000
μC
100
100 A -Thyristor
I TM
500 A
200 A
100 A
50 A
20 A
Q rr
10
T vj =130 °C
1 -di T /dt 10 A/µs 100
Bild 3.2.28 Speicherladung Q rr
in Abhängigkeit von der Steilheit der Stromabkommutierung -di/dt für unterschiedliche
Vorströme I TM
.
3.2.6 Dioden- und Thyristormodule
3.2.6.1 Grenzwerte, Kennwerte
Die meisten Datenblattangaben entsprechen denen bei diskreten Dioden und Thyristoren. Bei Modulen,
die einen Thyristor und eine Diode enthalten, sind oft nur die Durchlassspannung und die
erlaubten Ströme für die Thyristoren angegeben, da die Werte für die Diode grundsätzlich besser
sind. Zusätzlich wird angegeben:
Isolationsspannung V iso
V iso
ist der Effektivwert der 50 Hz-Wechselspannung, mit der 100% der Module geprüft werden.
Es wird der Wert für eine Prüfdauer von 1 Minute angegeben. Bei einer Prüfdauer von 1 s ist
die Prüfspannung um 20% höher. Zu beachten ist, dass bei der Messung mit Wechselspannung
ein kapazitiver Strom durch den Isolator fließt und einen Leckstrom vortäuscht. Bei Messung mit
Gleichstrom tritt dieser Strom nicht auf.
Thermischer Widerstand R th(j-c)
Dieser Wärmewiderstand vom Chip zum Gehäuseboden wird für verschiedene Stromkurvenformen
(cont. = Gleichstrom, sin.180° = sinusförmiger Halbwellenstrom und rec.120° = rechteckiger
Strom mit einem Stromflusswinkel von 120°) sowie für das gesamte Modul und für einen einzelnen
Chip angegeben.
Thermischer Widerstand R th(c-s)
Der Wärmewiderstand von der Gehäusebodenplatte zum Kühlkörper wird ebenfalls für das Modul
und für einen Chip angegeben. Er gilt bei Verwendung von Wärmeleitpaste mit der empfohlenen
Dicke.
3.2.6.2 Diagramme
Die Abhängigkeit der Verlustleistung vom Strom und die zulässige Umgebungstemperatur T a
in Abhängigkeit
vom Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung R th(j-a)
einschließlich des Übergangswärmewiderstandes
vom Gehäuse zum Kühlkörper sind in Doppeldiagrammen angegeben für:
1/2 Modul (einen einzelnen Chip), Verlustleistung P TAV
als Funktion des Durchlassstrom-Mittelwertes
I TAV
bei verschiedenen Stromformen
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