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3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren Bild 3.2.23 Zeitlicher Verlauf von Hauptstrom i und Hauptspannung v eines Thyristors beim Umschalten von Durchlass- auf Sperrbeanspruchung; die Freiwerdezeit t q ist die kürzeste Zeit, bei der das Anlegen der Vorwärtssperrspannung nicht zum Zünden des Thyristors führt Bild 3.2.24 Typische Abhängigkeit der Freiwerdezeit t q (bezogen auf den Wert t q0 bei T j = 125°C) von der Ersatzsperrschichttemperatur T j Bild 3.2.25 Typische Abhängigkeit der Freiwerdezeit t q (bezogen auf den Wert bei dv D /dt = 200 V/µs) von der Steilheit der wiederkehrenden Vorwärtsspannung dv D /dt Bild 3.2.26 Typische Abhängigkeit der Freiwerdezeit t q (bezogen auf den Wert t q0 bei V RM ≥ 75 V) von der Rückwärtsspannung V RM 155
3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren 3.2.5.3 Diagramme Dieses Kapitel enthält einige Hinweise zu den in den Datenblättern enthaltenen Diagrammen. Wird das Diagramm an anderer Stelle ausführlicher erklärt, so erfolgt ein Verweis dahin. Verlustleistung P TAV , Umgebungstemperatur T a und Durchlassstrom-Mittelwert I TAV Bild 3.2.27 zeigt die im Bauelement entstehende Verlustleistung P TAV , die bei den verschiedenen Stromformen in Abhängigkeit vom Durchlassstrom-Mittelwert I TAV entsteht. a) b) Bild 3.2.27 a) Verlustleistung P TAV als Funktion des Durchlassstrom-Mittelwertes I TAV bei verschiedenen Stromformen; b) Zulässige Umgebungstemperatur T a in Abhängigkeit vom Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung R th(j-a) einschließlich des Übergangswärmewiderstandes vom Gehäuse zum Kühlkörper Bei dem im Bild 3.2.27 rot eingezeichneten Beispiel kann man ablesen: bei einer Umgebungstemperatur T a = 70°C und einem Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung R th(j-a) = 0,5 K/W darf die Verlustleistung maximal 120 W betragen. Bei diesen Bedingungen wird der pn-Übergang des Thyristors auf die maximal zulässige Temperatur von 130°C erwärmt. Ein Sinushalbwellen-Strom, dessen Mittelwert I TAV = 80 A beträgt, erzeugt diese Verlustleistung (vgl. Kap. 3.2.5.2 Kennwerte). Empfohlen wird, einen Durchlassstrom-Mittelwert von 0.8 · I TAV höchstens kurzzeitig zu überschreiten. Dauergrenzstrom I TAV als Funktion der Gehäusetemperatur T c Siehe Bild 3.2.13 im Kap. 3.2.5.2 Kennwerte. Dort ist auch der Zusammenhang mit dem höchstzulässigen Durchlassstrom-Effektivwert I FRMS erläutert, der unabhängig von Stromkurvenform, Stromflusswinkel und Kühlbedingungen nicht überschritten werden darf. Speicherladung Die Speicherladung Q rr in Abhängigkeit von der Steilheit der Stromabkommutierung -di/dt ist in Bild 3.2.28 für unterschiedliche Vorströme I TM dargestellt. Die Daten dienen beispielsweise zum Auslegen der Löschschaltung. 156
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Applikationshandbuch Leistungshalbl
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Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
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Inhalt 1 Betriebsweise von Leistung
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3.3.1 Grenzwerte...................
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2 Grundlagen 2 Grundlagen 2.1 Einsa
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2 Grundlagen 1000 950 900 Platinum-
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2 Grundlagen Material Wärmeleitfä
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4 Applikationshinweise für Thyrist
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5 Applikationshinweise für IGBT- u
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