Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
1000
t gd
[µs]
100 A-Thyristor
100
10
1
0.1
0.01 0.1 1 10 I G [A] 100
Bild 3.2.19 Typische Abhängigkeit der Zündverzögerungszeit t gd
eines Thyristors vom Steuerstrom I G
; die
schraffierte Fläche stellt den Streubereich dar
Sperrverzögerungsladung Q rr
Rückstromspitze I RRM
Sperrverzögerungszeit t rr
Rückstromfallzeit t f
siehe Kap. 3.2.4.2 Kennwerte (von
Gleichrichterdioden) und Bild 3.2.11
Periodischer Vorwärts-Spitzensperrstrom I DRM
Höchstwert bei der höchstzulässigen periodischen Spitzensperrspannung in Vorwärtsrichtung und
25°C.
Zündspannung V GT
und Zündstrom I GT
Mindestwerte des Steuerstroms und der Steuerspannung, die erforderlich sind, um jeden Thyristor
des betreffenden Typs mit Sicherheit zu zünden (Bild 3.2.21). Sie gelten unter folgenden Bedingungen:
--
≥ 6 V treibende Spannung im Hauptstromkreis
--
ohmscher Hauptstromkreis
--
rechteckförmiger Gatestromimpuls von mindestens 100 µs Dauer
--
25°C Ersatzsperrschichttemperatur.
Bei Steuerimpulsen von weniger als 100 µs Dauer erhöhen sich die Werte um den Faktor 1,4
bis 2. Die Ansteuereinrichtung sollte so ausgelegt werden, dass der vom Datenblatt angegebene
Zündstrom um das Vier- bis Fünffache überschritten wird.
Bei steil ansteigendem Hauptstrom tritt bei Thyristoren mit innerer Zündverstärkung (amplifying
gate) infolge der Spannungsverteilung an den Schichten des Thyristorchips am Steueranschluss
vorübergehend eine Gegenspannung auf, die bei unzureichender treibender Spannung oder zu
hohem Ausgangswiderstand des Ansteuergerätes den Steuerstrom unterdrücken oder sogar vorübergehend
negativ werden lassen kann (Bild 3.2.20). Dadurch kann der Thyristor beschädigt
werden. Es ist daher eine hinreichend leistungsfähige Ansteuereinrichtung erforderlich.
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