Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
Der Augenblickswert P T
und der Mittelwert P TAV
der DurchIass-Verlustleistung werden aus der
Schleusenspannung V T(T0)
und dem Ersatzwiderstand r T
nach folgenden Gleichungen berechnet:
P V
T
T(T0)
i
r i
T
T
2
T
P
TAV
V
T(T0)
I
TAV
r I
T
2
TRMS
2
I
I
TRMS
2
TAV
360
bei Rechteckpulsen
2
ITRMS 180
2.5 bei angeschnittenen Sinus-Halbschwingungen.
2
I
TAV
Dabei ist Q der Stromflusswinkel, I T
, l TAV
und I TRMS
sind Augenblickswert, Mittelwert und Effektivwert
des Durchlassstromes, für den die Verlustleistung berechnet werden soll.
Die genauen Werte für angeschnittene Sinus-Halbschwingungen lauten:
Q 180° 120° 90° 60° 30° 15°
I
2
TRMS
2
ITAV
2,47 3.5 4.93 7,7 15,9 31,8
Sperrstrom I RD
, Blockierstrom I DD
Angegeben wird der Höchstwert bei 125°C und bei einer Spannung, die gleich der höchstzulässigen
periodischen Spitzensperrspannung V RRM
ist. Der Blockierstrom besitzt eine starke Temperaturabhängigkeit.
Alle 10 K steigt der Wert auf das 2 bis 2,5 fache.
I
DD
(T ) I
j
DD _ 25C
Tj
25C
10 C
2...2,5
Der Sperrstrom steigt nahezu linear mit der Chipfläche.
1000
Reverse Current vs. chip temperature
100
Reverse Current [mA]
10
1
0.1
0.01
20 40 60 80 100 T [°C] 120 140
Bild 3.2.17 Sperrstrom als Funktion von T j
eines Thyristors
150