Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
kennlinie bei der höchstzulässigen Ersatzsperrschichttemperatur für einen solchen Thyristor entspricht,
dessen Durchlassspannung V T
bei 25°C den für die Stückprüfung gültigen Höchstwert hat.
Die Ersatzwiderstandsgerade schneidet die Durchlasskennlinie im Heißen bei 1 x I FAV
und 3 x I FAV
(blaue Kreise in Bild 3.2.15).
400
A
100 Thyristor A- - Thyristor typ. .
I T
300
200
100
I T
___
max
T vj = 25°C
- -T T= vj vj= 130 130°C
0
0 V 0.5 1 1.5 2 2.5
T
V T0
V
Bild 3.2.15 Durchlasskennlinien eines Thyristors (typisch und maximal) bei zwei verschiedenen Ersatzsperrschichttemperaturen
T vj
; der Pfeil gibt die Prüfgrenze an; rote Punktlinie = Ersatzwiderstandsgerade,
aus der V (T0)
und r f
bestimmt werden; r f
ergibt sich aus dem Neigungswinkel der
Geraden
DurchIass-Verlustleistung P T
Verlustleistung infolge des Durchlassstroms. In der Regel wird der Mittelwert P TAV
, gemittelt über
eine volle Periode der Betriebsfrequenz, als Kurvenschar für (angeschnittene) Sinus-Halbschwingungen
sowie für rechteckförmige Ströme mit verschiedenen Stromflusswinkeln als Funktion des
mittleren Durchlassstroms l TAV
angegebenen (Bild 3.2.16).
200
W
150
100
100A-Thyristor
rec. 15
rec. 30
rec. 60
rec. 120
rec. 90
sin. 180
rec. 180
cont.
50
P TAV
0
I TAV
0 20 40 60 80 100 120 140 A
Bild 3.2.16 Durchlass-Verlustleistung P TAV
als Funktion des Durchlassstrom-Mittelwertes I TAV
bei reinem
Gleichstrom (cont.), Sinus-Halbschwingungen 180° (sin.180) und bei Rechteckstrompulsen 15°
bis 180° (rec. 15 bis 180)
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