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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren<br />

Grenzlastintegral i²t<br />

Bezugsgröße für die Auswahl der für den Kurzschlussschutz erforderlichen Sicherung (vgl.<br />

Kap. 4.4). Das Grenzlastintegral errechnet sich aus dem Stoßstrom-Grenzwert l TSM<br />

nach der Formel:<br />

thw<br />

2<br />

iTS<br />

0<br />

dt I<br />

2<br />

TSM<br />

t<br />

hw<br />

<br />

2<br />

Darin bedeutet t hw<br />

die Dauer der Sinus-Halbschwingung, für die I TSM<br />

gilt. Bei 50 Hz ist also<br />

t hw<br />

/2 = 0,005 s. i²t hat bei 50 Hz und 60 Hz praktisch den gleichen Wert, da der um 10% höhere l TSM<br />

durch die geringere t hw<br />

ausgeglichen wird: 1,1² · 8.3 ≈ 10.<br />

Kritische Stromsteilheit (di/dt) cr<br />

Höchste Anstiegssteilheit des Durchlassstromes, die der Thyristor ohne Schaden verträgt. Sie<br />

hängt ab von der Betriebsfrequenz, dem DurchIassstrom-Spitzenwert, der Vorwärts-Sperrspannung<br />

unmittelbar vor dem Zünden und von der Größe und Anstiegssteilheit der Steuerstrompulse.<br />

Zu beachten ist ferner, dass ein zum Schutz gegen Überspannungen parallel zum Thyristor<br />

geschaltetes RC-Glied bei jedem Zünden des Thyristors einen steil ansteigenden Entladestrom<br />

durch den Thyristor treibt.<br />

Die angegebenen Werte gelten für 50 bis 60 Hz, eine Stromamplitude gleich dem dreifachen Dauergrenzstrom<br />

(für Sinus-Halbschwingungen bei 85°C Gehäusetemperatur) sowie für Steuerstrompulse<br />

vom fünffachen Wert des Zündstroms und mit einer Anstiegsflanke von mindestens 1 A/µs<br />

Steilheit und ohne RC-Glied. Die kritische Stromsteilheit steigt mit kleinerer Stromamplitude und<br />

niedrigerer Temperatur, sie sinkt bei kleinerem oder flacher ansteigendem Zündstrom und höherer<br />

Wiederholfrequenz. Besonders hohe (di/dt) cr<br />

-Werte werden von Thyristoren mit innerer Zündverstärkung<br />

(Amplifying Gate-Thyristoren) erreicht (vgl. Kap. 2.2.2.4).<br />

Spitzen-Steuerverlustleistung P GM<br />

Höchstzulässiger Spitzenwert der durch den Steuerstrom im Thyristor verursachten Verlustleistung.<br />

Er hängt von der Dauer des Steuerstrompulses ab (Bild 3.2.21).<br />

Mittlere Steuerverlustleistung P GAV<br />

Höchstzulässiger Mittelwert der durch den Steuerstrom im Thyristor verursachten Verlustleistung,<br />

gemittelt über eine volle Periode der Betriebsfrequenz.<br />

Temperaturgrenzwerte siehe Kap. 3.2.1 „Temperaturen“.<br />

3.2.5.2 Kennwerte<br />

Durchlassspannung V T<br />

Spannung an den Hauptanschlüssen als Folge eines im Durchlasszustand fließenden Stromes I T<br />

.<br />

Als Vergleichswert sowie für Kontrollmessungen wird der Höchstwert der Durchlassspannung V T<br />

bei einem bestimmten Strom l T<br />

sowie bei 25°C Ersatzsperrschichttemperatur angegeben. Darüber<br />

hinaus ist es üblich, die Durchlass-KennIinie, d.h. die Augenblickswerte des Durchlassstroms i T<br />

als<br />

Funktion der Augenblickswerte der Durchlassspannung v T<br />

bei 25°C sowie bei der höchstzulässigen<br />

Ersatzsperrschichttemperatur anzugeben (Bild 3.2.15).<br />

Schleusenspannung V T(T0)<br />

Spannung, die dem Schnittpunkt einer sich der Durchlasskennlinie annähernden Geraden mit der<br />

Spannungsachse entspricht (Bild 3.2.15).<br />

Ersatzwiderstand r T<br />

Widerstandswert, der sich aus dem Neigungswinkel der sich der Durchlasskennlinie annähernden<br />

Geraden errechnet (Bild 3.2.15). Für die Berechnung der Durchlassverlustleistung ersetzt man die<br />

Durchlasskennlinie durch eine Gerade, die der Gleichung v T<br />

= V T(T0)<br />

+ r T<br />

· i T<br />

genügt. Dabei werden<br />

in der Regel V T(T0)<br />

und r T<br />

für diejenige Ersatzwiderstandsgerade angegeben, die der Durchlass-<br />

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