03.07.2014 Aufrufe

Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren<br />

lastung bis zum Stoßstrom-Grenzwert zulässig. Mit Rücksicht auf mögliche Veränderungen der<br />

Kühlbedingungen (z.B. Staubablagerung), Erhöhung der Umgebungstemperatur, Erwärmung<br />

durch benachbarte Bauteile usw. wird empfohlen, den Dauergrenzstrom nur zu etwa 80% auszunutzen.<br />

Der Anstieg des Dauergrenzstroms mit abnehmender Gehäusetemperatur bricht bei<br />

Erreichen des höchstzulässigen Durchlassstrom-Effektivwertes (hier 150 A) ab, da dieser im Dauerbetrieb<br />

nicht überschritten werden darf.<br />

Durchlassstrom-Effektivwert I TRMS<br />

Effektivwert des Durchlassstromes, gemittelt über eine volle Periode der Betriebsfrequenz. Der<br />

höchstzulässige Wert gilt für beliebige Stromkurvenformen, Stromflusswinkel und Kühlbedingungen.<br />

Er ist bedingt durch die Strombelastbarkeit der Verbindungen im Inneren des Thyristorgehäuses<br />

und der äußeren Anschlüsse.<br />

Stoßstrom-Grenzwert I TSM<br />

Scheitelwert eines Durchlass-Stromstoßes in Form einer Sinus-Halbschwingung 10 ms oder<br />

8,3 ms (50 oder 60 Hz), den der Thyristor im Störungsfall (Kurzschluss) ohne Schaden übersteht,<br />

wenn er nur selten während der Lebenszeit des Thyristors auftritt. Der Wert für 8.3 ms ist etwa<br />

10% höher als der 10 ms-Wert. Der Stoßstrom-Grenzwert wird ermittelt als höchster Strom, den<br />

alle Bauelemente einer Anzahl von Mustern während der Produktqualifizierung gerade noch überlebt<br />

haben.<br />

Darüber hinaus werden auch Werte für Halbschwingungsdauern unter 8,3 ms sowie für mehrere<br />

aufeinander folgende Halbschwingungen in Form von Kurven (sog. Grenzstromkennlinien)<br />

angegeben. Die Werte oberhalb 10 ms gelten für Sinus-Halbschwingungen von 10 ms Dauer,<br />

die im Abstand von 20 ms aufeinander folgen. Bei der Beanspruchung eines Thyristors mit dem<br />

Stoßstrom-Grenzwert treten kurzzeitig Sperrschichttemperaturen bis zu 400°C auf. Daher geht<br />

die Sperrfähigkeit in Vorwärtsrichtung vorübergehend verloren. Tritt unmittelbar im Anschluss an<br />

eine Beanspruchung mit dem Stoßstrom-Grenzwert eine Sperrspannung in Rückwärtsrichtung auf<br />

(selbstheilender Kurzschluss), so sind geringere Stoßstrom-Grenzwerte zulässig als ohne nachfolgende<br />

Spannungsbeanspruchung (Bild 3.2.14):<br />

--<br />

0 · V RRM<br />

: Ohne Sperrspannungsbeanspruchung<br />

--<br />

½ · V RRM<br />

: Beanspruchung mit der Hälfte der höchstzulässigen periodischen Spitzensperrspannung<br />

--<br />

1 · V RRM<br />

: Beanspruchung mit dem vollen Wert.<br />

2.0<br />

I T(OV)<br />

1,8<br />

I TSM<br />

1.6<br />

1.4<br />

1.2<br />

1.0<br />

100 A -Thyristor<br />

I TSM(25°C) = 2000 A<br />

I TSM(130°C) = 1750 A<br />

0 V RRM<br />

0.5 V RRM<br />

1 V RRM<br />

0.8<br />

0.6<br />

0.4<br />

1 t 10 100 ms 1000<br />

Bild 3.2.14 Im Störungsfall zulässige Überströme I T(OV)<br />

im Verhältnis zum Stoßstrom-Grenzwert für 10 ms<br />

I TSM<br />

bei verschiedenen Sperrspannungsbeanspruchungen unmittelbar nach dem Ende der letzten<br />

Stromhalbschwingung als Funktion der Zeit t<br />

147

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!