Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
Durchbruchspannung V (BO)
bei Avalanche-Gleichrichterdioden
Spannung in Rückwärtsrichtung, bei welcher der steile Anstieg des Sperrstroms infolge des Lawineneffekts
beginnt (Bild 2.2.2). Sie wird als Mindestwert für 25°C angegeben. Mit steigender
Temperatur nimmt die Durchbruchspannung zu.
Sperrstrom I R
Angegeben wird der Höchstwert bei 25°C und bei einer Spannung, die gleich der höchstzulässigen
periodischen Spitzensperrspannung V RRM
ist.
3.2.4.3 Diagramme
Dieses Kapitel enthält einige Hinweise zu den in den Datenblättern enthaltenen Diagrammen.
Wird das Diagramm an anderer Stelle ausführlicher erklärt, so erfolgt ein Verweis dahin.
Verlustleistung P FAV
und Gehäusetemperatur T c
Bild 3.2.12 zeigt die im Bauelement entstehende Verlustleistung P FAV
, die bei den verschiedenen
Stromformen in Abhängigkeit vom Durchlassstrom-Mittelwert I FAV
entsteht (vgl. Kap. 3.2.4.2
Kennwerte). Bei der links senkrecht aufgetragenen Verlustleistung P FAV
ist die rechts senkrecht
aufgetragene Gehäusetemperatur T c
zulässig. Empfohlen wird ein Durchlassstrom-Mittelwert von
0.8 · I FAV
.
200
SKN070.xls-1L
200
SKN070.xls-1R
70
W
150
100
rec.
60
rec.
120
sin.
180
rec.
180
cont.
W
150
100
0,4
0,6
0,8
1
1,3
0,3
R th(c-a)
T c
92
114
1,6
2
136
50
P FAV
50
P FAV
2,5
3
4
5
K/W
158
°C
0
0 IFAV 25 50 75 100 A 125
0
180
0 T a
50 100 150 °C 200
a) b)
Bild 3.2.12 a) Verlustleistung P FAV
als Funktion des Durchlassstrom-Mittelwertes I FAV
bei verschiedenen
Stromformen; b) Gehäusetemperatur T c
in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur T a
;
Parameter ist der Wärmewiderstand Gehäuse-Luft R th(c-a)
des Kühlkörpers einschließlich des
Übergangswärmewiderstandes einer 70 A-Diode
Bei dem im Bild 3.2.12 rot eingezeichneten Beispiel kann man ablesen: bei einer Umgebungstemperatur
T a
von 40°C und einem Wärmewiderstand vom Gehäuse zur Luft R th(c-a)
= 1 K/W darf
die Gehäusetemperatur höchstens 130,5°C betragen. Bei einer in dem Bauelement entstehenden
Verlustleistung von P FAV
= 90 W wird der pn-Übergang der Diode auf die maximal zulässige Temperatur
von 180°C erwärmt. Die Verlustleistung wird von einem Sinushalbwellenstrom mit dem
Mittelwert von 67 A verursacht.
Dauergrenzstrom I FAV
als Funktion der Gehäusetemperatur T c
Siehe Bild 3.2.6 im Kap. 3.2.4.1 Grenzwerte. Dort ist auch der Zusammenhang mit dem höchstzulässigen
Durchlassstrom-Effektivwert I FRMS
erläutert, der unabhängig von Stromkurvenform,
Stromflusswinkel und Kühlbedingungen nicht überschritten werden darf.
145