Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
200
W
150
100
rec.
60
rec.
120
sin.
180
rec.
180
cont.
50
P FAV
0
0
I FAV
25 50 75 100 A 125
Bild 3.2.10 Durchlass-Verlustleistung P FAV
als Funktion des Durchlassstrom-Mittelwertes I FAV
einer 70 A-
Diode bei reinem Gleichstrom (cont.), Sinus-Halbschwingungen 180° (sin. 180) und bei Rechteckstrompulsen
60° (rec. 60) bis 180° (rec. 180)
Sperrverzögerungsladung Q rr
Gesamt-Ladungsmenge, die nach dem Umschalten von einer bestimmten Durchlassstrom-Belastung
auf eine bestimmte Beanspruchung in Sperrrichtung aus der Diode in den äußeren Stromkreis
abfließt. Sie hängt ab von der Steilheit des abklingenden Stroms -di F
/dt, dem Durchlassstrom
I FM
unmittelbar vor dem Umschalten und der Ersatzsperrschichttemperatur (Bild 3.2.11).
Rückstromspitze I RRM
Spitzenwert des Sperrstroms nach dem Umschalten von Durchlassstrombelastung auf Sperrbeanspruchung
(bei Schaltungen, die ein freies Ausschwingen des Stromes gestatten) (Bild 3.2.11).
Der höchstmögliche Wert der Rückstromspitze kann aus der Sperrverzögerungsladung Q rr
und
der Abklingsteilheit des Stromes -di F
/dt nach folgender Formel berechnet werden (Q f
→ 0):
I
RRM
2 Q
rr
di
F
dt
143