Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
10000
W
1000
P RRM
P RSM
W
10000
1000
100
100
10
10
1
1
P RRM
0.1
0.000001 0.0001 0.01 1 t [s] 100
P RSM
0,1
Bild 3.2.8 Stoßspitzen-Sperrverlustleistung P RSM
(t < 1 s, Durchlassstrom-Belastung 0,8 •I FAV
) und periodische
Spitzensperrverlustleistung P RRM
(t > 1 s, keine Durchlassstrom-Belastung) einer 20 A-
Avalanche-Gleichrichterdiode als Funktion der Zeit t
3.2.4.2 Kennwerte
Durchlassspannung V F
Spannung an den Anschlüssen als Folge eines in Durchlassrichtung fließenden Stromes I F
. Als
Vergleichswert sowie für Kontrollmessungen wird der Höchstwert der Durchlassspannung V F
bei
einem bestimmten Strom I F
sowie bei 25°C Ersatzsperrschichttemperatur angegeben. Darüber
hinaus ist es üblich, die Durchlasskennlinie, d.h. die Augenblickswerte des Durchlassstroms i F
als
Funktion der Augenblickswerte der Durchlassspannung v F
bei 25°C sowie bei der höchstzulässigen
Ersatzsperrschichttemperatur anzugeben (Bild 3.2.9).
Schleusenspannung V (T0)
Spannung, die dem Schnittpunkt einer sich der Durchlasskennlinie annähernden Geraden mit der
Spannungsachse entspricht (Bild 3.2.9).
Ersatzwiderstand r f
Widerstandswert, der sich aus dem Neigungswinkel der sich der Durchlasskennlinie annähernden
Geraden errechnet. Für die Berechnung der Durchlass-Verlustleistung ersetzt man die Durchlasskennlinie
durch eine Gerade, die der Gleichung v F
= V (T0)
+ r f
· i F
genügt (Bild 3.2.9). Dabei werden
in der Regel V (T0)
und r f
für diejenige Ersatzwiderstandsgerade angegeben, die der Durchlasskennlinie
bei der maximalen Betriebstemperatur für eine solche Diode entspricht, deren Durchlassspannung
V F
bei 25°C den für die Stückprüfung gültigen Höchstwert hat. Die Ersatzwiderstandsgerade
schneidet die Durchlasskennlinie im Heißen bei 1x I FAV
und 3x I FAV
(blaue Punkte in Bild 3.2.9).
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