Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
2
I F(OV)
1,8
I FSM
I = 1150 A
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I
FSM(25°C)
FSM(180°C)
0
V
1
V
RRM
0.5 V
RRM
RRM
= 1000 A
0.6
0.4
1 t 10 100 ms 1000
Bild 3.2.7 Im Störungsfall zulässige Überströme I F(OV)
einer 70 A-Diode im Verhältnis zum Stoßstrom-
Grenzwert für 10 ms I FSM
bei verschiedenen Sperrspannungsbeanspruchungen unmittelbar
nach dem Ende der letzten Stromhalbschwingung als Funktion der Zeit t
- 0 · V RRM
: Ohne Sperrspannungsbeanspruchung
- ½ · V RRM
: Beanspruchung mit der Hälfte der höchstzulässigen periodischen
Spitzensperrspannung
- 1 · V RRM
: Beanspruchung mit dem vollen Wert
Grenzlastintegral i²t
Bezugsgröße für die Auswahl der für den Kurzschlussschutz erforderlichen Sicherung (vgl.
Kap. 4.4). Das Grenzlastintegral errechnet sich aus dem Stoßstromgrenzwert I FSM
nach der Formel:
thw
0
i
2
FS
dt I
2
FSM
t
hw
2
Darin bedeutet t hw
die Dauer der Sinus-Halbschwingung, für die I FSM
gilt. Bei 50 Hz ist also
t hw
/2 = 0,005 s. i²t hat bei 50 Hz und 60 Hz praktisch den gleichen Wert, da der um 10% höhere
I FSM
durch die geringere t hw
ausgeglichen wird: 1,1² · 8,3 ≈ 10.
Stoßspitzen-Sperrverlustleistung P RSM
(bei Avalanche-Gleichrichterdioden)
Höchster Augenblickswert der von einem nichtperiodischen Sperrstromimpuls verursachten Verlustleistung.
Wird angegeben als Funktion der Impulsdauer bei einer Ersatzsperrschichttemperatur
entsprechend 80% des Dauergrenzstroms, der unter den gegebenen Kühl- und Betriebsbedingungen
zulässig ist (Bild 3.2.8).
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