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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren<br />

erbetrieb auch bei niedriger Gehäusetemperatur T c<br />

nicht überschritten werden darf. Beispiel: Bei<br />

Sinus-Halbschwingungen ist<br />

I<br />

FAV<br />

IFRMS<br />

150 A<br />

95,5 A<br />

/ 2 1,57<br />

125<br />

A<br />

100<br />

rec. 180°<br />

sin. 180°<br />

cont.<br />

75<br />

rec. 120°<br />

rec. 60°<br />

50<br />

25<br />

I FAV<br />

0<br />

0 T c 50 100 150 °C 200<br />

Bild 3.2.6 Dauergrenzstrom I FAV<br />

einer 70 A-Gleichrichterdiode als Funktion der Gehäusetemperatur T c<br />

Parameter: Stromkurvenform (reiner Gleichstrom: cont., Sinus-Halbschwingungen: sin. 180,<br />

Rechteckpulse 180°, 120°, 60°: rec. 180, rec. 120, rec. 60)<br />

Durchlassstrom-Effektivwert I FRMS<br />

Effektivwert des Durchlassstromes, gemittelt über eine volle Periode der Betriebsfrequenz. Der<br />

höchstzulässige Wert gilt für beliebige Stromkurvenformen, Stromflusswinkel und Kühlbedingungen.<br />

Er ist bedingt durch die Strombelastbarkeit der Verbindungen im Inneren des Diodengehäuses<br />

und der äußeren Anschlüsse.<br />

Stoßstrom-Grenzwert I FSM<br />

Scheitelwert eines Durchlassstromstoßes in Form einer Sinus-Halbschwingung von 10 ms oder<br />

8,3 ms Dauer (50 oder 60 Hz), den die Diode im Störungsfall (Kurzschluss) ohne Schaden übersteht,<br />

wenn er nur selten während der Lebenszeit der Diode auftritt. Der Wert für 8,3 ms ist etwa<br />

um 10% höher als der 10 ms-Wert. Der Stoßstrom-Grenzwert wird ermittelt als höchster Strom,<br />

den alle Bauelemente einer Anzahl von Mustern während der Produktqualifizierung gerade noch<br />

überlebt haben. Darüber hinaus werden auch Werte für Halbschwingungsdauern unter 8,3 ms<br />

sowie für mehrere aufeinander folgende Halbschwingungen in Form von Kurven (Bild 3.2.7, sog.<br />

Grenzstromkennlinien) angegeben.<br />

Bei der Beanspruchung einer Gleichrichterdiode mit dem Stoßstrom-Grenzwert werden kurzzeitig<br />

Sperrschichttemperaturen bis zu 400°C erreicht. Tritt daher unmittelbar im Anschluss an eine<br />

Beanspruchung mit dem Stoßstrom-Grenzwert eine Sperrspannung auf (selbstheilender Kurzschluss),<br />

so sind geringere Stoßstrom-Grenzwerte zulässig als ohne nachfolgende Spannungsbeanspruchung.<br />

Die Werte oberhalb 10 ms gelten für Sinus-Halbschwingungen von 10 ms Dauer, die im Abstand<br />

von 20 ms aufeinander folgen.<br />

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