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Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

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3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren<br />

3.2 Netzdioden und Thyristoren<br />

Die in diesem Kapitel erklärten Datenblattangaben stehen nicht immer für jedes Bauelement zur<br />

Verfügung.<br />

3.2.1 Temperaturen<br />

Ersatzsperrschichttemperatur T j<br />

Es ist der Temperaturwert, der einem Gebiet im Inneren eines Halbleiterbauelements zugeschrieben<br />

wird, in dem eine gedachte Wärmequelle die von den elektrischen Verlusten herrührende<br />

Wärmeleistung liefert. Die Ersatzsperrschichttemperatur T j<br />

ist eine virtuelle Größe, sie kann nicht<br />

direkt gemessen werden. Sie stellt einen theoretischen Mittelwert dar, die reelle Temperatur am<br />

pn-Übergang eines Chips kann davon lokal deutlich abweichen. Dieser Effekt verstärkt sich mit<br />

zunehmender Chipgröße.<br />

Bild 3.2.1 Der untere Teil zeigt die Infrarotaufnahme eines stromdurchflossenen, gebondeten Chips mit<br />

12x12 mm² aktiver Fläche, rechts davon die den Falschfarben zugeordneten Temperaturen.<br />

Der obere Bildteil zeigt als Auswertung dieser Infrarotaufnahme die diagonal über den Chip<br />

gemessene Temperatur.<br />

Bild 3.2.1 zeigt die Temperaturverteilung, gemessen in der Diagonale eines stromdurchflossenen<br />

Chips. Man erkennt die großen Temperaturunterschiede (DT = 41,8°C) zwischen den Ecken und<br />

der heißesten Stelle des Chips. Der keinen Strom führende Gatebereich und die Abschattung der<br />

Wärmestrahlen durch die Bonddrähte sind deutlich zu erkennen. Die nach der üblichen Messmethode,<br />

nämlich mittels des negativen Temperaturkoeffizienten der Durchlassspannung, gemessene<br />

Temperatur entspricht dem Mittelwert der über die aktive Fläche mit Infrarot gemessenen oder<br />

durch Simulation errechneten lokalen Chiptemperaturen.<br />

Bild 3.2.2 beschreibt die Messmethode für die Ersatzsperrschichttemperatur T j<br />

, die bei allen bipolaren<br />

Bauelementen zur Anwendung kommen kann. Bei niedrigen Strömen ist der Temperaturkoeffizient<br />

der Durchlassspannung negativ. Rechts ist der lineare Zusammenhang zwischen<br />

Durchlassspannung V ce<br />

bei konstantem Strom und der Temperatur demonstriert. Kennt man bei-<br />

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