Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
3.1.3 Grenzwerte, Kennwerte
Grenzwerte und Kennwerte werden tabellarisch gegeben, sie können zusätzlich auch in Form von
Diagrammen veröffentlicht werden.
Grenzwerte (Ratings)
Die in den Datenblättern aufgeführten Grenzwerte der Module bezeichnen Extremwerte der ohne
Zerstörungsgefahr zulässigen elektrischen, thermischen und mechanischen Belastung. Eine
„normale“ Bauteilalterung tritt allerdings auch innerhalb dieser Grenzen auf. Jeder Grenzwert
ist unter genau festgelegten Bedingungen spezifiziert, deren Angabe unverzichtbar ist. Andere
Umgebungsbedingungen können zu anderen Grenzwerten führen, bei denen nur zu einigen Abhängigkeiten
Kenntnisse existieren. Die Grenzwerte sind absolut, d.h. die Überschreitung auch
nur eines der Grenzwerte kann zur Zerstörung des Bauelementes führen, auch wenn andere
Grenzwerte nicht ausgenutzt werden. Zusätzlich zu den „statischen“ Grenzwerten existieren „dynamische“
Grenzwerte, d.h. Grenzen für den zulässigen Verlauf des Arbeitspunktes (Strom/Spannung)
während des Schaltens. Wenn nicht anders angegeben, gelten die in den Datenblättern
aufgeführten Grenzwerte bei einer Chip- oder Gehäusetemperatur von 25°C, d.h. bei höheren
Temperaturen sind meist Deratings zu beachten.
Kennwerte (Characteristics)
Kennwerte beschreiben die unter bestimmten Messbedingungen (meist anwendungsnah) ermittelten
Eigenschaften der Bauelemente. Auch hier trifft zu, dass jeder Kennwert unter genau festgelegten
Randbedingungen gilt, deren Angabe unverzichtbar ist, da manche dieser Bedingungen
nicht einheitlich festgelegt sind. Kennwerte werden oft als typische Werte mit einem Streubereich
angegeben. Als Bezugstemperaturen (Chip- oder Gehäusetemperatur) sind 25°C und meist eine
zweite hohe Temperatur z.B. 125°C oder 150°C üblich. Bei davon abweichenden Temperaturen
müssen hier die Temperaturabhängigkeiten berücksichtigt werden (vgl. Kap. 2).
3.1.4 Bauteil-(Typen-) Bezeichnung
Gehäuseform
Stromklasse (&
Gehäusegröße)
Schaltungskürzel
Blockierspannung
(*100V)
SKM 200 GB 12 6
(Mini)SKiiP 39 AC 12 T4
SK 30 GD 06 5
SEMiX 453 GAL 12 E4
SKiM 606 GD 06 6
SKiiP 1814 GB 17 E4
Die Stromklasse ist meist (mit Ausnahme des MiniSKiiP) der Nennstrom für eine spezifizierte Gehäuse-
oder Kühlkörpertemperatur in A. Die letzte Ziffer der Stromklasse wird als Gehäusekennzeichen
genutzt. Beispiel: SEMiX453… ist ein 450 A Bauelement im SEMiX3-Gehäuse.
Wichtigste Schaltungskürzel für IGBT Module sind (vgl. Kap. 2.5.2.7):
--
GB Halbrückenzweig
--
GA Einzelschalter
--
GD/AC Drehstrombrücke
--
GAL/GAR Einzelschalter mit Freilaufdiode für Chopper- (DC/DC-Wandler) Schaltungen
Weitere Details sind in den „Technical Explanations“ für jede Gehäuseform gegeben.
Chip
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