Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

3 Datenblattangaben für MOSFET, IGBT, Dioden und Thyristoren
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S: Kurzschluss;
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R: zu spezifizierende Widerstandsbeschaltung;
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V: zu spezifizierende, externe Spannung;
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X: zu spezifizierende Widerstandsbeschaltung und externe Spannung
Vor oder nach den Anschlussindizes (z.B. V (BR)DS
bzw. V GE(th)
oder V CEsat
) können weitere Indexkürzel
zur Kennzeichnung von Parametern - mit oder ohne Einklammerung sowie in Groß- oder
Kleinschreibung - angeordnet sein, z.B.:
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(BR): Durchbruchspannung („Break“);
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sat: Sättigungsspannung („saturation“);
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(th): Schwellenspannung („threshold“);
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clamp: durch externe Beschaltungsmaßnahmen begrenzte Spannung.
Versorgungsspannungen erhalten den Index des Bezugsanschlusses in zweifacher Schreibweise,
z.B. V GG
(Versorgungsspannung des Gate-Emitter-Stromkreises), V CC
, V DD
.
Ströme: Es wird als Index nur die Kurzbezeichnung des Bauelementeanschlusses verwendet
(z.B. G=Gate, C=Collector), in den der Strom hineinfließt (z.B. I G
für Gatestrom). Positive Zahlenwerte
kennzeichnen positive Ströme. Bei Dioden wird als Index „F“ für Ströme in Durchlassrichtung
(Anode-Kathode) und „R“ für Ströme in Sperrrichtung (Kathode-Anode) verwendet. Ausnahmen
sind Sperr- und Leckströme, bei denen mit einem zweiten Index der zweite Anschluss für die
angelegte Sperrspannung bezeichnet wird. Hier kann dann mit den gleichen Abkürzungen wie für
die Spannung ein zusätzlicher dritter Index den Beschaltungszustand zwischen dem Anschluss
mit Index 2 und einem nicht bezeichneten 3. Anschluss angeben werden, z.B. I GES
. Vor oder nach
den Anschlussindizes können weitere Kürzel - mit oder ohne Einklammerung sowie in Groß- oder
Kleinschreibung - angeordnet sein, z.B.:
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av : Mittelwert (average value),
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rms: Effektivwert (root mean square),
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M: Spitzenwert (maximum),
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R: periodisch (repetitive),
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S: nichtperiodisch (spike),
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puls: gepulster (Gleichstrom).
Thermische Größen: Temperaturen werden immer mit einem großen T bezeichnet. Die meist
verwendeten Indizes sind:
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j Sperrschicht (junction), alt auch „vj“ für virtual junction
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c Gehäuse (case), hier ist die wärmeabführende Bodenplatte gemeint
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s Kühlkörper (sink), alt auch „h“ für heatsink
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r Referenzpunkt (reference), in der Regel integrierter Temperatursensor
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a Umgebung (ambient), hier ist meist die Kühlmitteltemperatur gemeint
Temperaturdifferenzen wie auch thermische Widerstände (R th
) bzw. Impedanzen (Z th
) werden mit
einem Bindestrich getrennt und mit den beiden Punkten bezeichnet, zwischen denen sie gelten,
also z.B. DT (j-a)
oder R th(c-s)
.
Mechanische Größen: Diese Größen beziehen sich vor allem auf die Montage der Bauelemente.
Wesentliche Größen sind Anzugsmomente M für Schraubanschlüsse und Kühlkörpermontage,
Zugkräfte F an Anschlüssen und Oberflächenbeschaffenheiten von Montageflächen.
Weitere Symbole: Die Terminologie der weiteren zur Anwendung kommenden Symbole für elektrische
Größen lehnt sich weitgehend an die der Spannungen und Ströme an. Als Indizes sind
(meist eingeklammert) auch Bezeichnungen der Schaltzustände (on), (off) möglich.
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