Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

2 Grundlagen
tung auf der DCB und der übrigen Schaltung auf der Basisleiterplatte her und bilden außerdem im
montierten Zustand auch den Kraftspeicher für das Anpressen der DCB an den Kühlkörper.
Aufgrund der Vielzahl über die gesamte MiniSKiiP-Fläche verteilten Federn wird ein gleichmäßiger
Druck zwischen Bauelement und Kühlkörper realisiert, was einen niedrigen thermischen Übergangswiderstand
sichert. Für Ströme über 20 A erfolgt eine Parallelschaltung von Kontakten. Aus
der großen Zahl der vorhandenen Federschächte resultiert eine hohe Flexibilität in der Realisierung
unterschiedlichster Schaltungen für die Antriebs- und Stromversorgungstechnik oder andere
Anwendungen.
Um unterschiedliche Leistungsbereiche zu bedienen, stehen in der 2. Generation 4 Gehäusegrößen
vom MiniSKiiP0 (600 V-IGBT, Nennströme bis 20 A) bis zum MiniSKiiP3 (600 V und
1200 V-IGBT, Nennströme bis 150 A) zur Verfügung (Bild 2.5.47).
MiniSKiiP0
MiniSKiiP1
30,5
33,5
AC
MiniSKiiP2
39,5
41,6
NEC
51,5
58,5
NAC
MiniSKiiP3
NAB
58,5
81,5
ANB/AHB
Bild 2.5.47 Bauformen (Abmessungen in mm) und Schaltungen der MiniSKiiP-Standardtypen
SEMITOP
Die bereits erwähnte Typenreihe SEMITOP umfasst 4 Gehäusebaugrößen (Bild 2.5.38). Wie SKiiP,
SKiM und MiniSKiiP gehört auch SEMITOP zu den Konstruktionen ohne Kupferbodenplatte, d.h.
der großflächige Andruck der DCB an den Kühlkörper wird durch eine spezielle Ausbildung des
Kunststoffgehäuses erreicht. Über nur eine Schraube wird die kraftschlüssige Verbindung zwischen
Modul und Kühlkörper hergestellt. Die Kontaktierung zur Leiterplatte erfolgt im Gegensatz
zum MiniSKiiP beim SEMITOP durch lötbare Stiftanschlüsse.
GH
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