Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

2 Grundlagen
Auxiliary spring
contacts
Pressure
element
Spring foam
Pressure contact
bus bars
DCB-Substrate with
sintered IGBT and diode
Main terminals (DC)
Bild 2.5.41 Schnitt durch ein SKiM63-Modul
Wie auch schon in den Vorgängermodulen SKiM4 und SKiM5 ist als Schaltung eine Drehstrombrücke
realisiert (GD, 6-pack). Sonderbauformen existieren als Chopper (3phasig GAL/GAR für
asymmetrische H-Brücken z.B. für Reluktanzmotoranwendungen) oder als Phasenbaustein für
Drei-Punkt-Wechselrichter (Multi-Level-Inverter, MLI). SKiM ist in den Spannungsklassen 600 V,
1200 V und 1700 V verfügbar.
SEMITRANS®
Als SEMITRANS werden Transistor-Modulgehäuse bezeichnet, deren wesentliche Vertreter nach
IEC 60191-2 in 34 mm und 61 mm Gehäusebreite standardisiert sind. Es handelt sich um Module
mit Kupferbodenplatte, deren Hauptanschlüsse als Schraubkontakte (Ausnahme SEMITRANS 6)
herausgeführt sind. Durch die Mittelposition der DC-Anschlüsse sind diese sehr symmetrisch in
Bezug auf die Chip-Anbindung (sehr gute Stromaufteilung zwischen parallelen Chips), besonders
niederohmig und niederinduktiv im Vergleich zu den 17 mm hohen Modulen mit seitlich herausgeführten
Lastanschlüssen (SEMiX). Die Hilfsanschlüsse sind meist als „Fast-on“ Steckkontakte
(Ausnahme SEMITRANS 4) ausgeführt. Bis auf einige wenige MOSFET-Module werden IGBT und
Soft-Recovery-Dioden in den Spannungsklassen 600 V, 1200 V und 1700 V verbaut. Die Module
sind im mittleren Leistungsbereich mit Stromklassen von 20 A (GD, 6-pack) bis 800 A (GA, Einzelschalter)
angesiedelt.
SEMITRANS M1 SEMITRANS 2 (34 mm) SEMITRANS 3 (61 mm)
SEMITRANS 4 (61 mm) SEMITRANS 5 SEMITRANS 6
Bild 2.5.42 Gehäusebauformen der SEMITRANS Familie
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