Application Manual Power Semiconductors - Deutsche ... - Semikron

5.2.3.4 Bauelementauswahl..................................................................................... 297
5.2.3.5 Thermische Einsatzbedingungen................................................................. 298
5.2.3.6 Ergebnisse................................................................................................... 300
5.3 Kühlung von Leistungsmodulen................................................................................ 302
5.3.1 Thermisches Modell der Kühleinrichtung........................................................... 302
5.3.2 Einflussfaktoren auf den thermischen Widerstand............................................. 303
5.3.2.1 Anzahl der Wärmequellen............................................................................ 303
5.3.2.2 Wärmespreizung.......................................................................................... 304
5.3.2.3 Lage der Wärmequellen zur Kühlrichtung.................................................... 305
5.3.2.4 Messpunkte zur R th
-Bestimmung.................................................................. 305
5.3.3 Natürliche Luftkühlung (freie Konvektion)........................................................... 306
5.3.4 Forcierte Luftkühlung ........................................................................................ 306
5.3.4.1 Kühlprofile.................................................................................................... 307
5.3.4.2 Druckabfall und Luftvolumen........................................................................ 308
5.3.4.3 Lüfter (Ventilatoren, Gebläse)....................................................................... 309
5.3.4.4 Einsatzhöhe................................................................................................. 310
5.3.5 Wasserkühlung ..................................................................................................311
5.3.5.1 Druckabfall und Wasservolumen, Prüfdruck................................................. 313
5.3.5.2 Kühlflüssigkeit, Kühlkreislauf und chemische Anforderungen....................... 314
5.3.5.3 Montagerichtung und Entlüftung................................................................... 316
5.3.5.4 Weitere Möglichkeiten der Flüssigkeitskühlung............................................ 317
5.3.6 Heatpipe............................................................................................................. 320
5.3.7 Thermische Reihenschaltung (Thermal Stacking).............................................. 321
5.3.7.1 Bestimmen einer zusätzlichen thermischen Impedanz................................. 321
5.3.7.2 Berechnung der Vorerwärmung bei Luftkühlung........................................... 322
5.3.7.3 Berechnung der Vorerwärmung bei Wasserkühlung..................................... 323
5.4 Leistungslayout, parasitäre Schaltungselemente, EMV............................................ 324
5.4.1 Parasitäre Induktivitäten und Kapazitäten.......................................................... 324
5.4.2 EMV und Netzrückwirkungen............................................................................. 326
5.4.2.1 energetische Prozesse in Stomrichtern........................................................ 326
5.4.2.2 Ursache der Störströme............................................................................... 327
5.4.2.3 Ausbreitungswege........................................................................................ 329
5.4.2.4 Weitere Ursachen elektromagnetischer Störungen...................................... 331
5.4.2.5 Entstörmaßnahmen...................................................................................... 331
5.5 Solutions................................................................................................................... 333
5.5.1 Definition von Solutions...................................................................................... 333
5.5.2 Plattformen......................................................................................................... 333
5.5.2.1 Plattformen mit IGBT-Standardmodulen....................................................... 334
5.5.2.2 SKiiPSTACK-Plattformen............................................................................. 336
5.5.2.3 Beispiele für Plattformprodukte für netzgeführte Schaltungen mit
Thyristoren oder Dioden............................................................................... 338
5.5.3 SKAI: Systembaugruppen für den Einsatz in Fahrzeugen.................................. 339
5.6 Ansteuerung............................................................................................................. 340
5.6.1 Verläufe von Gatestrom und Gatespannung...................................................... 340
5.6.2 Ansteuerparameter und Schaltereigenschaften................................................. 344
5.6.3 Strukturen von Treiberschaltungen..................................................................... 347
5.6.4 Schutz- und Überwachungsfunktionen............................................................... 349
5.6.5 Zeitkonstanten und Verriegelungsfunktionen...................................................... 350
5.6.6 Übertragung von Ansteuerinformation und -energie........................................... 352
5.6.6.1 Ansteuer- und Statusrückmeldesignale........................................................ 353
5.6.6.2 Ansteuerleistung........................................................................................... 354
5.6.7 Monolithisch und hybrid integrierte Treiberschaltungen..................................... 355
5.6.8 SEMIDRIVER..................................................................................................... 356
5.7 Verhalten im Fehlerfall und Schutz........................................................................... 359
5.7.1 Fehlerarten......................................................................................................... 359
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