Скачать статью в формате pdf - Силовая электроника
Скачать статью в формате pdf - Силовая электроника
Скачать статью в формате pdf - Силовая электроника
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
Сило<strong>в</strong>ая Электроника, № 4’2010<br />
Сило<strong>в</strong>ая элементная база<br />
Рис. 6. Временные характеристики IGBT<br />
при <strong>в</strong>ключении<br />
Необходимо отметить, что <strong>в</strong>ремя задержки,<br />
по истечении которого измеряется V ce , у<strong>в</strong>еличи<strong>в</strong>ается<br />
с уменьшением постоянного напряжения<br />
питания ин<strong>в</strong>ертора: ниже 500 В (для<br />
<strong>в</strong>ерсий 1200 и 1700 В) и ниже 400 В (для 600-В<br />
<strong>в</strong>ерсии). Функция контроля напряжения<br />
коллектор-эмиттер предназначена только<br />
для защиты IGBT-транзистора от короткого<br />
замыкания и не предназначена для защиты<br />
от перегрузки по току, которая имеет более<br />
низкий приоритет и может быть легко реализо<strong>в</strong>ана<br />
<strong>в</strong> контроллере преобразо<strong>в</strong>ателя.<br />
Заключение<br />
• Д<strong>в</strong>е базо<strong>в</strong>ые платы 2BB0108T и 2BB0435T,<br />
предста<strong>в</strong>ляющие собой «конструктор»<br />
д<strong>в</strong>ухканального драй<strong>в</strong>ера IGBT, поз<strong>в</strong>оляют<br />
сократить <strong>в</strong>ремя разработки драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> сило<strong>в</strong>ых<br />
ключей и ускорить <strong>в</strong>ыход продукции<br />
на рынок.<br />
• Для <strong>в</strong>ключения базо<strong>в</strong>ой платы <strong>в</strong> работу необходимо<br />
смонтиро<strong>в</strong>ать резисторы зат<strong>в</strong>ора<br />
и устано<strong>в</strong>ить ядро драй<strong>в</strong>ера. Резисторы<br />
и ядро драй<strong>в</strong>ера не <strong>в</strong>ходят <strong>в</strong> комплект поста<strong>в</strong>ки.<br />
• Базо<strong>в</strong>ые платы 2BB0108T и 2BB0435T <strong>в</strong>ыпускаются<br />
для упра<strong>в</strong>ления IGBT на рабочие напряжения<br />
600, 1200, 1700 В. Выходная мощность<br />
драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> базо<strong>в</strong>ой платы соста<strong>в</strong>ляет<br />
1 и 4 Вт на канал при токах 8 и 35 А на канал<br />
соот<strong>в</strong>етст<strong>в</strong>енно.<br />
• Драй<strong>в</strong>ер базо<strong>в</strong>ой платы построен на осно<strong>в</strong>е<br />
но<strong>в</strong>ейшего ядра SCALE-2 и обладает <strong>в</strong>семи<br />
его техническими характеристиками, такими<br />
как малое <strong>в</strong>ремя задержки <strong>в</strong>кл/<strong>в</strong>ыкл (до<br />
80 нс) и низкий джиттер (до единиц наносекунд),<br />
<strong>в</strong>ключая мониторинг напряжения<br />
коллектор-эмиттер и улучшенное акти<strong>в</strong>ное<br />
ограничение напряжения коллекторэмиттер<br />
при <strong>в</strong>ыключении и <strong>в</strong> стационарных<br />
режимах работы.<br />
• Платы драй<strong>в</strong>еро<strong>в</strong> 2BB0108T и 2BB0435T<br />
поддержи<strong>в</strong>ают 2-, 3-, многоуро<strong>в</strong>не<strong>в</strong>ые и параллельные<br />
топологии соединения сило<strong>в</strong>ых<br />
ключей.<br />
• Платы укомплекто<strong>в</strong>аны документацией,<br />
<strong>в</strong>ключая электрические схемы, перечень<br />
элементо<strong>в</strong>, габаритные чертежи, послойные<br />
чертежи топологии, упра<strong>в</strong>ляющие файлы<br />
для изгото<strong>в</strong>ления печатной платы.<br />
Литература<br />
1. Бербенец А. Драй<strong>в</strong>еры CT-Concept для сило<strong>в</strong>ых<br />
IGBT- и MOSFET-модулей на базе<br />
но<strong>в</strong>ого ядра SCALE-2 // Сило<strong>в</strong>ая <strong>электроника</strong>.<br />
2009. № 5.<br />
2. www.Igbt-Driver.com.<br />
3. Description and Application Manual for<br />
SCALE Drivers, CONCEPT.<br />
4. Data sheets SCALE-2 driver core 2SC0108T,<br />
CONCEPT.<br />
5. 2BB0108T Description and Application Manual,<br />
CONCEPT.<br />
6. 2BB0435T Description and Application Manual,<br />
CONCEPT.<br />
7. Advantages of Advanced Active Clamping //<br />
Power Electronics Europe. 2009. November/<br />
December.<br />
www.power-e.ru<br />
33
Change language