Chemie Diplomarbeit / Fakultät für Chemie und Pharmazie ...
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Modifikation <strong>und</strong> Charakterisierung von Mikroelektrodenstrukturen zur Optimierung der kapazitiven Kommunikation mit Nervenfasern<br />
Mit Platin belegte<br />
Gegenelektrode<br />
einer<br />
Mikroelektrodenstruktur<br />
RE<br />
QSur<br />
RDt<br />
QDs<br />
R E : 2.91·10 3 Ω<br />
Q Sur : 3.32·10 -4 Fs (n-1)<br />
n: 0.79<br />
0,97<br />
9,61<br />
11,38<br />
R E Q Sur (R Dt Q Ds )<br />
R M : 9.07·10 2 Ω<br />
Q Ds :2.91·10 3 Fs (n-1)<br />
n: 0.61<br />
14,80<br />
12,12<br />
3,40<br />
Mit Platin belegte<br />
Fensterelektrode einer<br />
Mikroelektrodenstruktur<br />
RE<br />
QSur<br />
RDt<br />
CDs<br />
R E : 1.89·10 3 Ω<br />
Q Sur : 1.18·10 -6 Fs (n-1)<br />
n: 0.72<br />
2,73<br />
4,87<br />
9,43<br />
R E Q Sur (R Dt C Ds )<br />
R M :<br />
9.75·10 3 Ω<br />
12,55<br />
C Dl :<br />
2.59·10 -7 F<br />
2,33<br />
Wie bei dem mit Silber belegten Iridiumdraht verhält sich die körnig rauhe Oberfläche<br />
weitgehend rein kapazitiv.<br />
Gegenelektrode nach oxidativer<br />
Aufrauhung in H 2 SO 4<br />
Elektrodenfenster nach<br />
oxidativer Aufrauhung in H 2 SO 4<br />
R E : 8,17·10 2 Ω<br />
Q DS : 5,47·10 -5 Fs (n-1)<br />
n: 0,77<br />
QDs<br />
RE<br />
R E : 1,36·10 3 Ω<br />
Q DS : 1,64·10 -5 Fs (n-1)<br />
n: 0,58<br />
QDs<br />
RE<br />
3,61<br />
13,68<br />
5,17<br />
5,62<br />
12,90<br />
5,03<br />
Nach oxidativer Behandlung der Elektroden in 0,5M H 2 SO 4 (0V bis +2V, 500 Zyklen) ließ<br />
sich eine Aufrauhung der Oberflächen im Lichtmikroskop erkennen (besser als im<br />
Elektronenmikroskop). Interessant ist, daß die Kapazität im Vergleich zur unbehandelten<br />
Elektrode um 3 bis 4 Größenordnungen gestiegen ist.<br />
R<strong>und</strong>e Klammern () weisen auf parallel verschaltete Elemente hin. R E : Elektrolytwiderstand; R Dt :<br />
Durchtrittswiderstand; C Ds : Doppelschichtkapazität; C Sur : Oberflächenkapazität an der äußeren<br />
Elektrodenoberfläche; Q Ds : konstantes Phasenelement für eine Doppelschicht; Q Sur : konstantes Phasenelement für<br />
eine äußere Elektrodenoberfläche; Z W : WARBURG-Impedanz; C P : Parasitäre Kapazität<br />
Wie sich aus den Ergebnissen erkennen läßt, ließ sich kein Ersatzschaltbild direkt an die von<br />
ROBINSON <strong>und</strong>/oder KOVACS vorgestellten Ersatzschaltkreise anpassen (vgl. Abbildung 12).<br />
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