Chemie Diplomarbeit / Fakultät für Chemie und Pharmazie ...
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Modifikation <strong>und</strong> Charakterisierung von Mikroelektrodenstrukturen zur Optimierung der kapazitiven Kommunikation mit Nervenfasern<br />
4. der Widerstand, den eine aus der Elektrode definierter geometrischer Größe<br />
ausgetretene Ladung im Elektrolyten erfährt spreading ( resistance).<br />
Elektrolyt/Elektroden-Grenzfläche<br />
C<br />
DS<br />
Parasitäre Elemente auf der Mikroelektrodenstruktur<br />
R<br />
M<br />
R<br />
E<br />
R<br />
Dt<br />
Z<br />
W<br />
zum verarbeitenden<br />
Schaltkreis (Verstärker)<br />
Z<br />
P<br />
C C C<br />
P K S<br />
R Dicht<br />
R E<br />
C<br />
R<br />
Ds<br />
Ds<br />
R<br />
M<br />
C Streu<br />
R<br />
V<br />
C V<br />
Referenzelektrode<br />
Abbildung 12: Erweiterter Ersatzschaltkreis nach ROBINSON 30 (1968, unten) <strong>und</strong> in seine Anteile zerlegt nach<br />
KOVACS 31 (1995, oben): links liegt der Elektrolyt <strong>und</strong> das Neuron (nicht gezeigt), rechts die<br />
Meßdatenerfassungseinheit bzw. der Computer (beide nicht gezeigt), die/der über die angedeutete<br />
Verstärkereinheit die Signale auswertet. R E : Elektrolytwiderstand oder auch Ausbreitungswiderstand, dessen<br />
Wert sich durch Integration über die Serienwiderstände der einzelnen Elektrolytschichten, deren<br />
Zusammensetzung nicht gleich sein muß, berechnet; C Ds : Doppelschichtkapazität des aus der Elektrode <strong>und</strong> der<br />
angrenzenden Wasser- <strong>und</strong> Ionenschicht gebildeten „Kondensators“; R Ds : Doppelschichtwiderstand, den eine<br />
Ladung beim Austritt aus der Elektrode in den Elektrolyten erfährt. Dieser Widerstand setzt sich bei genauerer<br />
Betrachtung aus folgenden Elementen zusammen: R Dt : Durchtrittswiderstand, den eine Ladung beim Austritt aus<br />
einer Elektrode mit einer ideal glatten Oberfläche in den Elektrolyten erfährt. Für ein ideales, nichtpolarisierbares<br />
Grenzflächensystem sollte sein Wert gegen null streben; Z P : aus der Porosität einer realen<br />
Elektrodenoberfläche resultierende Impedanz; Z W : WARBURG-Impedanz: Wechselstromwiderstand, der aus an<br />
der Elektrode ablaufenden, diffusionskontrollierten Redox-Prozessen resultiert; R M : Widerstand des metallischen<br />
Leiters, also des Elektrodenmaterials an sich; C Streu : Allgemeine Streukapazität, die sich aus folgenden Anteilen<br />
zusammensetzen kann: C P : Passivierungs-Streukapazität zwischen Elektrodenableitungen <strong>und</strong> dem Elektrolyten<br />
über das Isolationsmaterial (Passivierung) als Dielektrikum; C K : Kopplungs-Streukapazität zwischen den<br />
einzelnen Elektrodenableitungen über das zwischen ihnen liegende Substrat; C S : Substrat-Streukapazität aus<br />
Elektrodenableitungen <strong>und</strong> dem darunterliegenden Substrat. R Dicht : Widerstand zwischen Elektrode <strong>und</strong><br />
Gegenelektrode, der sehr hoch sein sollte, da es ansonsten bei der Stimulation zu immensen Leckströmen an der<br />
Zelle vorbei zur Gegenelektrode kommen wird. Der Dichtwiderstand wird in erster Linie dadurch bestimmt, wie<br />
gut der Zellkörper die Elektrode gegen den Elektrolyten abdichtet; R V : Widerstand des Verstärkers; C V :<br />
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