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Chemie Diplomarbeit / Fakultät für Chemie und Pharmazie ...

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Modifikation <strong>und</strong> Charakterisierung von Mikroelektrodenstrukturen zur Optimierung der kapazitiven Kommunikation mit Nervenfasern<br />

4. der Widerstand, den eine aus der Elektrode definierter geometrischer Größe<br />

ausgetretene Ladung im Elektrolyten erfährt spreading ( resistance).<br />

Elektrolyt/Elektroden-Grenzfläche<br />

C<br />

DS<br />

Parasitäre Elemente auf der Mikroelektrodenstruktur<br />

R<br />

M<br />

R<br />

E<br />

R<br />

Dt<br />

Z<br />

W<br />

zum verarbeitenden<br />

Schaltkreis (Verstärker)<br />

Z<br />

P<br />

C C C<br />

P K S<br />

R Dicht<br />

R E<br />

C<br />

R<br />

Ds<br />

Ds<br />

R<br />

M<br />

C Streu<br />

R<br />

V<br />

C V<br />

Referenzelektrode<br />

Abbildung 12: Erweiterter Ersatzschaltkreis nach ROBINSON 30 (1968, unten) <strong>und</strong> in seine Anteile zerlegt nach<br />

KOVACS 31 (1995, oben): links liegt der Elektrolyt <strong>und</strong> das Neuron (nicht gezeigt), rechts die<br />

Meßdatenerfassungseinheit bzw. der Computer (beide nicht gezeigt), die/der über die angedeutete<br />

Verstärkereinheit die Signale auswertet. R E : Elektrolytwiderstand oder auch Ausbreitungswiderstand, dessen<br />

Wert sich durch Integration über die Serienwiderstände der einzelnen Elektrolytschichten, deren<br />

Zusammensetzung nicht gleich sein muß, berechnet; C Ds : Doppelschichtkapazität des aus der Elektrode <strong>und</strong> der<br />

angrenzenden Wasser- <strong>und</strong> Ionenschicht gebildeten „Kondensators“; R Ds : Doppelschichtwiderstand, den eine<br />

Ladung beim Austritt aus der Elektrode in den Elektrolyten erfährt. Dieser Widerstand setzt sich bei genauerer<br />

Betrachtung aus folgenden Elementen zusammen: R Dt : Durchtrittswiderstand, den eine Ladung beim Austritt aus<br />

einer Elektrode mit einer ideal glatten Oberfläche in den Elektrolyten erfährt. Für ein ideales, nichtpolarisierbares<br />

Grenzflächensystem sollte sein Wert gegen null streben; Z P : aus der Porosität einer realen<br />

Elektrodenoberfläche resultierende Impedanz; Z W : WARBURG-Impedanz: Wechselstromwiderstand, der aus an<br />

der Elektrode ablaufenden, diffusionskontrollierten Redox-Prozessen resultiert; R M : Widerstand des metallischen<br />

Leiters, also des Elektrodenmaterials an sich; C Streu : Allgemeine Streukapazität, die sich aus folgenden Anteilen<br />

zusammensetzen kann: C P : Passivierungs-Streukapazität zwischen Elektrodenableitungen <strong>und</strong> dem Elektrolyten<br />

über das Isolationsmaterial (Passivierung) als Dielektrikum; C K : Kopplungs-Streukapazität zwischen den<br />

einzelnen Elektrodenableitungen über das zwischen ihnen liegende Substrat; C S : Substrat-Streukapazität aus<br />

Elektrodenableitungen <strong>und</strong> dem darunterliegenden Substrat. R Dicht : Widerstand zwischen Elektrode <strong>und</strong><br />

Gegenelektrode, der sehr hoch sein sollte, da es ansonsten bei der Stimulation zu immensen Leckströmen an der<br />

Zelle vorbei zur Gegenelektrode kommen wird. Der Dichtwiderstand wird in erster Linie dadurch bestimmt, wie<br />

gut der Zellkörper die Elektrode gegen den Elektrolyten abdichtet; R V : Widerstand des Verstärkers; C V :<br />

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