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Sensorik/Aktorik

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• Nachteil: mäßiges dynamisches Verhalten (Sekunden bis Minuten)<br />

• Anwendung: bei Heizkörperventilen<br />

4.2.2 Thermobimetalle<br />

• Aktoren<br />

• Vorteile: billig, konfigurierbar, große Zyklenzahl<br />

• Nachteil: kleine Stellkräfte und Energiedichte (im Mikrobereich allerdings sehr gut)<br />

• Anwendung: Haushaltsgeräte<br />

4.2.3 Memory-Legierungen<br />

• unterschiedliche Kristallstrukturen je nach Temperatur und anliegender mechanischer Spannung:<br />

– tiefe Temperatur: Martensit<br />

– hohe Temperatur: Austenit<br />

Einwegeffekt: Induzieren von Martensit durch Verformung bei Raumtemperatur; Zurückschnappen in<br />

die ursprüngliche Form nach Erwärmen (siehe Graphen S. 36)<br />

Zweiwegeffekt: Zur Vorbehandlung starke Verformung im martensitischen Bereich (Training, Erziehungsspannung)<br />

→ Zwillingsversetzungen und plastische Verformung im Austenitbereich. Diese<br />

bleibenden Versetzungen erzeugen Spannungen beim Abkühlen<br />

• Beispiel: NiTi, Einwegeffekt 8%, Zweiwegeffekt 5%, Bruchdehnung 40–50%<br />

• Vorteile: Sprungartige Formänderung innerhalb von 10–30 K, hohe Energiedichte<br />

• Nachteile: Stabilität von der Legierungsqualität abhängig, hoher Preis<br />

4.3 Thermoelemente<br />

4.3.1 Seebeckeffekt<br />

• elektromotorische Kraft (Spannung) U ab , wenn zwei miteinander verbundene, homogene Leiter<br />

aus verschiedenem Material verbunden werden und die Nahtstelle einer anderen Temperatur<br />

ausgesetzt ist als die Enden → Thermoelement<br />

• Ursachen (tragen additiv zum Effekt bei):<br />

U ab = α AB ∆T (1)<br />

– Differenz Ferminiveau/Austrittsarbeit temperaturabhängig<br />

– Diffusion der Ladungsträger vom warmen zum kalten Ende (Gasgesetz)<br />

– Phonon Drag: Mitreißen der Elektronen durch Phononen<br />

Herleitung für Metalle<br />

• siehe Bandschema S. 40<br />

• Änderung der Differenz zwischen Fermienergie und Austrittsarbeit führt zu<br />

U ab = 1 ( [(µ a − µ b ) + π6 1<br />

e<br />

6 (kT )2 − 1 )]<br />

µ a µ b<br />

(2)<br />

• bis 530 µV/K (Tellur/Konstantan (55% Cu, 45% Ni)), praktisch bis 68 µV/K<br />

• kleiner als bei Halbleitern<br />

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