Sensorik/Aktorik
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• Nachteil: mäßiges dynamisches Verhalten (Sekunden bis Minuten)<br />
• Anwendung: bei Heizkörperventilen<br />
4.2.2 Thermobimetalle<br />
• Aktoren<br />
• Vorteile: billig, konfigurierbar, große Zyklenzahl<br />
• Nachteil: kleine Stellkräfte und Energiedichte (im Mikrobereich allerdings sehr gut)<br />
• Anwendung: Haushaltsgeräte<br />
4.2.3 Memory-Legierungen<br />
• unterschiedliche Kristallstrukturen je nach Temperatur und anliegender mechanischer Spannung:<br />
– tiefe Temperatur: Martensit<br />
– hohe Temperatur: Austenit<br />
Einwegeffekt: Induzieren von Martensit durch Verformung bei Raumtemperatur; Zurückschnappen in<br />
die ursprüngliche Form nach Erwärmen (siehe Graphen S. 36)<br />
Zweiwegeffekt: Zur Vorbehandlung starke Verformung im martensitischen Bereich (Training, Erziehungsspannung)<br />
→ Zwillingsversetzungen und plastische Verformung im Austenitbereich. Diese<br />
bleibenden Versetzungen erzeugen Spannungen beim Abkühlen<br />
• Beispiel: NiTi, Einwegeffekt 8%, Zweiwegeffekt 5%, Bruchdehnung 40–50%<br />
• Vorteile: Sprungartige Formänderung innerhalb von 10–30 K, hohe Energiedichte<br />
• Nachteile: Stabilität von der Legierungsqualität abhängig, hoher Preis<br />
4.3 Thermoelemente<br />
4.3.1 Seebeckeffekt<br />
• elektromotorische Kraft (Spannung) U ab , wenn zwei miteinander verbundene, homogene Leiter<br />
aus verschiedenem Material verbunden werden und die Nahtstelle einer anderen Temperatur<br />
ausgesetzt ist als die Enden → Thermoelement<br />
• Ursachen (tragen additiv zum Effekt bei):<br />
U ab = α AB ∆T (1)<br />
– Differenz Ferminiveau/Austrittsarbeit temperaturabhängig<br />
– Diffusion der Ladungsträger vom warmen zum kalten Ende (Gasgesetz)<br />
– Phonon Drag: Mitreißen der Elektronen durch Phononen<br />
Herleitung für Metalle<br />
• siehe Bandschema S. 40<br />
• Änderung der Differenz zwischen Fermienergie und Austrittsarbeit führt zu<br />
U ab = 1 ( [(µ a − µ b ) + π6 1<br />
e<br />
6 (kT )2 − 1 )]<br />
µ a µ b<br />
(2)<br />
• bis 530 µV/K (Tellur/Konstantan (55% Cu, 45% Ni)), praktisch bis 68 µV/K<br />
• kleiner als bei Halbleitern<br />
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