Sensorik/Aktorik
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4.7.2 Keramiken<br />
• Elektronen nicht wie in einem idealen Elektronengas (Beschleunigung bis zum Stoß, dadurch<br />
mittlere Driftgeschwindigkeit), sondern wie geladene Teilchen (Diffusion aus dem gebundenen<br />
Zustand in einen benachbarten, energetisch nahen Zustand → Leerstellendiffusion)<br />
• kann durch Diffusion mit D = D 0 exp −E a /kT beschrieben werden<br />
• Beweglichkeit: µ n = q/kT D n = qD 0 /kT exp(−E a /kT )<br />
• ergibt Widerstand: R(T ) = R N exp(B(1/T − 1/T N ), T N : Thermistorkonstante<br />
• Temperaturkoeffizienz α(T ) = −B/T 2 negativ<br />
– durch Beimengung isolierender Keramiken einstellbar<br />
– zehnmal höher als bei Metallschichten, nach Langzeittemperung sehr langzeitstabil<br />
Herstellung und Bauformen<br />
• Nach Abwiegen und Mischen der hochreinen Rohstoffe Verglühen<br />
• Zerkleinern, Mahlen und Formgebung<br />
• Sintern, Kontaktieren und Nachbehandlung (Alterung)<br />
• AVT: Einschmelzen in Weich- oder Hartglas<br />
• Anschlußdrähte mit einschmelzbar<br />
• bis zu 100 µm dünn oder als Scheiben, Stäbe, . . .<br />
Besonderheiten beim Betrieb<br />
• Eigenerwärmung ∆T = P R th = UI/G th<br />
• Also ergibt sich eine veränderte Temperaturkennlinie (linear?) von<br />
R(T ) = G th(T − T u )<br />
I 2 0<br />
=<br />
U 2 0<br />
G th (T − T u )<br />
(6)<br />
• Durch den NTC kann es zum Durchschalten des Thermistors kommen, d.h. der Strom wächst<br />
beliebig an, da der Widerstand immer kleiner wird (im Spannungsbetrieb)<br />
4.7.3 Dünnschicht-Thermistoren<br />
• Reproduzierbarkeit bei oxidischen Halbleitern begrenzt → Dünnschichttechnik<br />
• Aufdampfen von Germanium → amorph, nicht einkristallin<br />
→ Zerstörung der Fernordnung<br />
→ Keine Bandlücke mehr (nicht verschwindende Zustandsdichte), dafür eine Beweglichkeitslücke<br />
• große Bandfluktuationen (Hügelstruktur, S. 81) durch dangling bonds<br />
niedrige Temperaturen: Stromtransport durch von den dangling bonds erzeugte Fehlstellen am<br />
Fermi-Niveau, T −1/4 -Gesetz<br />
mittlere Temperaturen: Hopping im Bandausläufer<br />
hohe Temperaturen: Bandleitung (Leitungsband)<br />
Linearisierung: Parallelschaltung (Stromquelle) oder Serielschalten (Spannungsquelle) eines Widerstands,<br />
so daß ∂<br />
∂T<br />
α = 0; Nachteil: Verkleinerung der Empfindlichkeit<br />
• Anwendung: Medizin, Biologie, Spannungsstabilisierung<br />
4.8 Kaltleiter (PTC)<br />
• ferroelektrische Materialien (Bariumtitanat) mit Perovskitstruktur<br />
• dadurch asymetrische Konfiguration → permanente Dipole (Polarisation), so daß die Energie<br />
durch elektrische Felder minimiert wird<br />
• dadurch Oberflächenladungen an den Korngrenzen; zusätzliche Korngrenzenladungen werden<br />
kompensiert<br />
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