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Diodenbrücken - ETH PES

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Professur für Leistungselektronik<br />

und Messtechnik<br />

Leistungselektronik<br />

Prof. Dr. J.W. Kolar Übung Nr. 3<br />

A. Hochsetzsteller zur Leistungsfaktorerhöhung bei Einphasen-<br />

<strong>Diodenbrücken</strong><br />

Einleitung: Aufgrund der stetig zunehmenden Belastung des Netzes mit Stromoberschwingungen als Folge<br />

zunehmender Verwendung von Stromrichterschaltungen wurden die Vorschriften bezüglich zulässigem<br />

Oberschwingungsgehalt der Stromaufnahme elektrischer Verbraucher verschärft. Es ist daher notwendig,<br />

z.B. für die Gleichrichtung der Einphasen-Netzwechselspannung Stromrichter mit hohem Leistungsfaktor<br />

bzw. weitgehend sinusförmigem Eingangsstrom zu entwerfen.<br />

Eine Ausführungsvariante derartiger Schaltungen ist in Bild 1 gezeigt. Das System besteht aus einer Diodenbrücke<br />

(D 1 , D 2 , D 3 und D 4 ), einer Induktivität L, einem Leistungstransistor T H (meist ein Leistungs-<br />

MOSFET), einer Freilaufdiode D H , einem Ausgangskondensator C d und einer Strom- und Spannungsmesseinrichtung.<br />

Die Voraussetzung für den Einsatz des Hochsetzstellers lautet: u d ≈ U d > Û 1<br />

D 1 D 3<br />

Hochsetzsteller<br />

i 1<br />

i<br />

u L<br />

u d<br />

i DH<br />

i C<br />

D H<br />

i d<br />

D 4 D 2<br />

d(t)<br />

i<br />

L<br />

u 1 u<br />

T H<br />

u d C d R d<br />

u<br />

Regler<br />

Angaben:<br />

U d = 400 V<br />

P d = 4 kW<br />

u 1 = Û 1 · sin(ωt) =<br />

k = 0.08<br />

Bild 1<br />

2 230 V · sin(ωt)<br />

A1.) Stromregelung mit Toleranzband proportional zum Stromsollwert (1±k)iʹ*<br />

Für die der Ausgangsspannungsregelung unterlagerten Stromregelung wird ein Stromregler mit Toleranzbandführung<br />

verwendet. Die Toleranzbandbreite ist proportional zum Stromsollwert iʹ*; es gilt für die<br />

obere Umschaltschwelle iʹmax = (1 + k)· iʹ* und für die untere Umschaltschwelle iʹmax = (1 − k)· iʹ*.<br />

Hinweis: Der Ausgangskondensator C d kann als so gross angenommen werden, dass die prinzipbedingte<br />

Ausgangsspannungsschwankung zufolge der mit zweifacher Netzfrequenz pulsierenden Eingangsleistung<br />

vernachlässigbar klein ist, d.h. es gilt u d ≈ U d .<br />

1) Berechnen Sie die Grundschwingungsamplitude von i 1 .


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Leistungselektronik<br />

Prof. Dr. J.W. Kolar Übung Nr. 3<br />

2) Zeichnen Sie in Beiblatt 1, Fig. 1, den Stromverlauf von iʹ für den Fall, dass die Induktivität<br />

L = 20 mH beträgt.<br />

Hinweis: Berechnen Sie den 1. Schnittpunkt von iʹ mit dem oberen Toleranzband iʹmax = (1 + k)· iʹ*<br />

exakt. Für die Berechnung der weiteren Umschaltpunkte (Schnittpunkte von iʹ mit dem unteren und<br />

dem oberen Toleranzband) bestimmen Sie jeweils den lokalen Anstieg von iʹ und machen Sie die<br />

Näherung, dass die Eingangsspannung nach dem Umschaltzeitpunkt konstant bleibt. Überlegen Sie,<br />

welche Spannung an der Spule liegt, wenn der Transistor durchgeschaltet / gesperrt ist.<br />

Wodurch kann die Verzerrung des Stromes nach dem Nulldurchgang verringert werden?<br />

3) Der Transistor T H soll mit einer minimalen Taktfrequenz von f T = 20 kHz arbeiten. Prinzipiell ist die<br />

Taktfrequenz abhängig von der Toleranzbandbreite, von der Induktivität L und vom aktuellen Spannungsübersetzungsverhältnis<br />

m(t) = 1 / [1 – d(t)] = U d / uʹ(t). Die minimale Taktfrequenz tritt beim<br />

Maximalwert der Eingangsspannung, Û 1 , auf.<br />

a) Berechnen Sie die Induktivität L für die gewünschte minimale Taktfrequenz f T .<br />

b) Wie gross ist der Spitzenstrom durch den Transistor T H .<br />

A2.) Stromregelung mit konstanter Taktfrequenz<br />

Der Hochsetzsteller wird nun mit einem modifizierten Stromreglerverfahren (‘Average Current Mode Control’)<br />

betrieben, für das die Schaltfrequenz f T einen konstanten Wert f T = 20 kHz aufweist. Die Realisierung<br />

erfolgt, indem die Stromreglerausgangsgrösse mit einer Dreieckschwingung mit Taktfrequenz f T =<br />

20 kHz und passender Amplitude verglichen wird.<br />

Es sei L = 570 μH und die Induktivität führe einen kontinuierlichen Strom.<br />

Ud<br />

Definition: Übersetzungsverhältnis: M <br />

Û1<br />

4) Geben Sie das Spannungsübersetzungsverhältnis m(t) = U d / iʹ(t) in Abhängigkeit des Tastverhältnisses<br />

d(t) an.<br />

5) Geben Sie die Leitdauer des Transistors und der Diode in Abhängigkeit des Übersetzungsverhältnisses<br />

M und der Zeit t an.<br />

6) Berechnen Sie für den angegebenen Betriebspunkt die maximale Amplitude der schaltfrequenten<br />

Schwankung des Netzstromes i 1 .<br />

Hinweis: Betrachten Sie den leitenden Zustand von T H und setzen Sie die Spannung an der Induktivität<br />

in Abhängigkeit vom Phasenwinkel (ωt) und die Leitdauer des Transistors entsprechend<br />

Punkt 5.) an.<br />

7) Vervollständigen Sie für eine Schaltfrequenz f T2 = 2 kHz und eine Induktivität L = 5 mH den Stromverlauf<br />

iʹ in Beiblatt 2, Fig.2.<br />

Hinweis: Zum Zeitpunkt t = 0 beträgt iʹ = 0. Die Ein- und Ausschaltzeitpunkte sind durch das Ansteuersignal<br />

des Transistors T H (Fig. 2 unten) vorgegeben und für die ersten 4 Umschaltzeitpunkte in<br />

nachfolgender Tabelle zusammengefasst.<br />

i = 1 i = 2 i = 3 i = 4<br />

T pi,OFF 480 µs 935 µs 1388 µs 1852 µs<br />

T pi,ON 500 µs 1008 µs 1520 µs 2044 µs


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Prof. Dr. J.W. Kolar Übung Nr. 3<br />

8) Skizzieren Sie näherungsweise die Einhüllende des Stromrippels in Fig. 2. Skizzieren Sie den Verlauf<br />

des Momentanwerts der Spannung u L über der Induktivität in Beiblatt 3, Fig. 3 und tragen Sie<br />

näherungsweise ebenfalls den Verlauf des theoretischen Sollwerts des lokalen Mittels der Spannung<br />

u ein.<br />

L<br />

Kann dieser anzustrebende Sollwert jederzeit gebildet werden? Wo nicht und was ist die Konsequenz?<br />

9) Berechnen Sie die Verluste in der Diode D H und überprüfen Sie, ob die Kühleinrichtung der Diode<br />

ausreichend ist. Die Diode ist in direktem Kontakt mit dem Kühlkörper, der Wärmeübergangswiderstand<br />

beträgt R th = 0.5 K/W. Der Kühlkörper befindet sich auf der Temperatur T K = 50°C. Die Sperrschichttemperatur<br />

der Diode darf den Maximalwert T j = 120°C nicht übersteigen.<br />

Hinweis: Vernachlässigen Sie den Rippel des Eingangsstroms i 1 und betrachten Sie nur die Eingangsstromgrundschwingung<br />

i 1 *. Die Schaltverluste sind gegenüber den Durchlassverlusten zu vernachlässigen.<br />

Für das Ersatzmodell der Diode sind folgende Grössen gegeben: Durchlassspannung<br />

U F = 0.65 V, Durchlasswiderstand r F ≈ 10 mΩ.<br />

1 3 1<br />

4 4 2<br />

<br />

3 2<br />

Es gilt: sin x sin3x sin x; sin x 1cos2x<br />

<br />

10) Dimensionieren Sie die Ausgangskapazität C d , sodass die Amplitude des Ausgangsspannungsrippels<br />

mit zweifacher Netzfrequenz ∆u d < 0.05 U d beträgt.<br />

Hinweis: Machen Sie den Ansatz über die momentane Eingangsleistung p d (t) und nehmen Sie an,<br />

dass diese Leistung direkt an den Ausgang geführt wird.<br />

11) Berechnen Sie den Effektivwert des Stromes durch den Kondensator I Cd,RMS .<br />

Hinweis: Der Mittelwert des Stroms durch den Kondensator verschwindet: I Cd,AVG = 0!<br />

12) Die Strombelastbarkeit des Kondensators beträgt 10 A/mF. Wie gross muss seine Kapazität gewählt<br />

werden? Ist die zulässige Ausgangsspannungsschwankung aus Punkt 10.) oder die Strombelastbarkeit<br />

kapazitätsbestimmend?<br />

13) Wie gross ist die Strombelastung (Effektiv- und Mittelwertwert) der Netzdioden?


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Beiblatt 1, Hochsetzsteller zur Leistungsfaktorerhöhung bei Einphasen-<strong>Diodenbrücken</strong><br />

Fig. 1<br />

[A]<br />

30<br />

Toleranzbandregelung des Eingangsstroms iʹ<br />

i' max<br />

25<br />

20<br />

i'*<br />

i' min<br />

15<br />

10<br />

5<br />

0<br />

i'<br />

[ms]<br />

0 2 4<br />

6 8<br />

10


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und Messtechnik<br />

Leistungselektronik<br />

Prof. Dr. J.W. Kolar Übung Nr. 3<br />

Beiblatt 2, Hochsetzsteller zur Leistungsfaktorerhöhung bei Einphasen-<strong>Diodenbrücken</strong><br />

Fig. 2<br />

[A]<br />

30<br />

Stromverlauf iʹ und iʹ* (oben) und Ansteuersignal für Leistungstransistor T H (unten)<br />

25<br />

20<br />

15<br />

i'<br />

10<br />

5<br />

i'*<br />

ON<br />

0<br />

[ms]<br />

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10<br />

0FF<br />

[ms]<br />

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10


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Beiblatt 3, Hochsetzsteller zur Leistungsfaktorerhöhung bei Einphasen-<strong>Diodenbrücken</strong><br />

Fig. 3<br />

[V]<br />

400<br />

Spannungsverlauf u L und lokaler Mittelwert von u L .<br />

300<br />

u 1<br />

u 1 – 400<br />

200<br />

100<br />

400 – u 1<br />

0<br />

100<br />

200<br />

300<br />

400<br />

0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 0.01<br />

[s]

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