Kapitel 7.4: Nachweismethoden für ionisierende Strahlung - PTB
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424 <strong>7.4</strong> <strong>Nachweismethoden</strong> <strong>für</strong> <strong>ionisierende</strong> <strong>Strahlung</strong><br />
rekombination dem Kehrwert der elektrischen Feldstärke (E=U/d,d ist der Elektrodenabstand)<br />
proportional. Sie nimmt nur bei Feldstärken kleiner als 4 V/cm Werte an, die berücksichtigt werden<br />
müssen, z. B. bei den großen, zur Realisierung der Einheit der lonendosis benutzten Freiluftkammern.<br />
- Beider Rekombination durch Diffusiongelangt ein Teil der Ladungsträger durch Diffusion<br />
gegen die Richtung des angelegten Feldes zur „falschen" Elektrode. Dieser Beitrag zur Rekombination<br />
hängt von der angelegten Kammerspannung U, dagegen nicht von der Feldstärke E ab. Die<br />
Diffusion trägt nur bei kleinen Spannungen (weniger als lOV) und kleinen Plattenabständen<br />
(kleiner als 1 cm) merklich zu Sättigungsverlusten bei.<br />
Die Feldstärke, bei der Sättigung erreicht wird, ist um so größer, je größer die<br />
lonisierungsdichte und je höher der Gasdruck ist. Wegen der geringeren Rekombination<br />
zwischen Elektronen und positiven Ionen ist in reinen Edelgasen und in reinem<br />
Stickstoff Sättigung leichter zu erreichen als in elektronegativen Gasen, die durch<br />
Anlagerung von Elektronen zur Bildung negativer Molekülionen neigen. Bei a-Strahlen<br />
sind wegen der hohen lonendichte längs der Bahnen zur Vermeidung der Rekombination<br />
wesentlich höhere Feldstärken erforderlich als bei Elektronen, vor allem dann,<br />
wenn die Bahnen in Richtung der Feldlinien verlaufen. Bei Hochdruck-Ionisationskammern,<br />
wie sie zur Messung niedriger Dosisleistungen in Luft (Umgebungsstrahlung)<br />
verwendet werden, ist bei Verwendung elektronegativer Gase (Sauerstoff) auch<br />
bei den höchsten, praktisch erreichbaren Feldstärken keine Sättigung zu erzielen; meist<br />
wählt man reinen Stickstoff.<br />
Näherungsformeln Die folgenden Formeln liefern Korrektionsfaktoren <strong>für</strong> Sättigungsdefizite<br />
kleiner als etwa 10% und planparallele Ionisationskammern bei kontinuierlicher <strong>Strahlung</strong> {D in<br />
Gy/s, Elektrodenabstand d in mm, U in V):<br />
A:, = 1 + 2,4 bd^/U^ <strong>für</strong> Volumenrekombination (7.63)<br />
K=\ ^ 0,0044 djU <strong>für</strong> Anfangsrekombination (7.64)<br />
ki = \ + 2 kaT/eU <strong>für</strong> Rekombination durch Diffusion (7.65)<br />
Gl. (7.63) <strong>für</strong> die Volumenrekombination stellt den gewöhnlich zu benutzenden Korrektionsfaktor<br />
dar (vgl. 7.8.4.2). Der in Gl.(7.64) <strong>für</strong> die Anfangsrekombination aufgeführte<br />
Zahlenwert 0,0044 gilt <strong>für</strong> Röntgenstrahlung mit Erzeugungsspannungen größer als 120 kV und hat<br />
nur <strong>für</strong> Werte der elektrischen Feldstärke f//£/