Tight-Binding-Theorie für optische und magnetische ... - E-LIB
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2.2 Modellierung elektronischer Eigenschaften<br />
Das zugehörige Matrix-Eigenwertproblem ist dann von der Form<br />
Ĥ Bulk<br />
αα ′ (k) = 1 N<br />
∑<br />
e ik(R−R′) 〈R,α|Ĥ|R′ ,α ′ 〉<br />
(2.2)<br />
} {{ }<br />
R,R ′ t α,α′<br />
R,R ′<br />
<strong>und</strong> ergibt dann die Dispersion ε(k) <strong>und</strong> Koeffizienten c α (k) nach exakter Diagonalisierung<br />
von Gl.(2.2) in einer endlichen Basis. N ist hier die Anzahl der Einheitszellen <strong>und</strong><br />
sorgt für die korrekte Normierung.<br />
Der Übergang zu einem System ohne jegliche Translationsinvarianz, z.B. einem<br />
Quantenpunkt, ergibt direkt:<br />
Ĥ Qd<br />
RR ′ ,αα ′ = 〈R,α|Ĥ|R′ ,α ′ 〉. (2.3)<br />
Die zugehörigen Eigenfunktionen sind Linearkombinationen der EBOM-Basis mit den<br />
Koeffizienten c R,α :<br />
|ψ〉 Qd = ∑ c R,α |R,α〉. (2.4)<br />
R,α<br />
Der nächste Schritt zur Verallgemeinerung von Gl.(2.2) zur Beschreibung eines<br />
zweidimensionalen translationsinvarianten Systems, z.B. einer Benetzungsschicht, wird<br />
über Einschränkung der Fourier-Summe auf die translationsinvarianten Dimensionen in<br />
der Ebene erreicht. Dies entspricht einer Abbildung auf ein eindimensionales Problem<br />
im Ortsraum, bei dem die effektiven Hüpfmatrixelemente über eine partielle Fourier-<br />
Summe erzeugt werden <strong>und</strong> ist nichts Anderes als eine Faktorisierung in einen Anteil in<br />
der Ebene (⊥,"in-plane") <strong>und</strong> senkrecht (‖,"out-of-plane") dazu. Es folgt die entsprechende<br />
Gleichung mit N ⊥ als Anzahl der "in-plane" Einheitszellen:<br />
Ĥ Wl<br />
R ‖ R ′ ‖ ,αα′ (k ⊥ ) = 1<br />
N ⊥<br />
∑<br />
R ⊥ ,R ′ ⊥<br />
e ik ⊥(R ⊥ −R ′ ⊥ )<br />
× 〈R ⊥ + R ‖ ,α|Ĥ|R′ ⊥ + R′ ‖ ,α′ 〉. (2.5)<br />
Im Vergleich zu Gl.(2.2) existieren jetzt zusätzliche Matrixelemente zwischen verschiedenen<br />
Benetzungsschichten R ‖ , R ′ ‖ <strong>und</strong> nicht nur zwischen verschiedenen Orbitalen α, α′ .<br />
Eine Diagonalisierung dieses Matrix-Eigenwertproblems ergibt die Benetzungsschicht-<br />
Dispersion ε(k ⊥ ) <strong>und</strong> Entwicklungskoeffizienten c R‖ ,α(k ⊥ ) der zugehörigen Eigenfunktionen:<br />
|k ⊥ 〉 Wl = ∑ R ‖ ,α<br />
c R‖ ,α(k ⊥ )<br />
1 ∑<br />
√<br />
N⊥<br />
R ⊥<br />
e ik ⊥R ⊥<br />
|R ⊥ + R ‖ ,α〉<br />
} {{ }<br />
|k ⊥ ,R ‖ ,α〉<br />
. (2.6)<br />
An der Grenzfläche einer Heterostruktur mit zwei unterschiedlichen Materialien A/B<br />
wird in dieser Arbeit das gemittelte Hüpfmatrixelement der beiden Konstituenten verwendet<br />
<strong>und</strong> zusätzlich muss ein angemessener Valenzbandversatz ΔE V als zusätzlicher<br />
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