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Einführung in die optische Nachrichtentechnik<br />

<strong>TECH</strong>/1<br />

Herstellung von Lichtwellenleitern (<strong>TECH</strong>)<br />

Dieses Kapitel behandelt drei verschiedenen Verfahren zur Herstellung von Vorformen für Glasfasern:<br />

das OVD-Verfahren (outside vapour deposition), das VAD-Verfahren (vapour axial deposition) und<br />

das MCVD-Verfahren (modied chemical vapour deposition). Auÿerdem wird auf die Verkabelung von<br />

Fasern eingegangen.<br />

1 Vorformherstellung<br />

Dämpfungsarme Lichtwellenleiter werden am häugsten auf Quarzglas-Basis (SiO 2 ) realisiert. Die<br />

Brechzahl wird über eine geeignete Dotierung eingestellt (siehe Abb. 1).<br />

Abbildung 1: Brechzahl dotierter Quarzgläser bei = 0; 6µm. (Bild aus: Unger, Optische Nachrichtentechnik<br />

I)<br />

Die am häugsten zur Brechzahlerhöhung verwendeten Dotierungen sind Germaniumdioxid (GeO 2 )<br />

und P 2 O 5 .<br />

Die am häugsten zur Brechzahlsenkung verwendete Dotierung ist Fluor (F).<br />

Für dämpfungsarme Lichtwellenleiter ist ein hochreiner Herstellungsprozess notwendig, insbesondere<br />

für den Faserkern. Daher werden Glasfasern mit Hilfe chemischer Abscheidung aus der Dampfphase<br />

(CVD chemical vapour deposition) hergestellt. Ausgangspunkt sind dabei Halogenide, dabei insbesondere<br />

Chloride, beispielsweise SiCl 4 , woraus durch Oxidation das Quarzglas (SiO 2 ) gewonnen wird.<br />

SiCl 4 + O 2 ! SiO 2 + 2Cl 2 (1)<br />

Die Reaktion kann in beiden Richtungen verlaufen, wobei die komplette Umsetzung zu SiO 2 für Temperaturen<br />

T > 1800K erfolgt. Für den Dotiersto GeO 2 ist die Reaktion ähnlich:<br />

GeCl 4 + O 2 ! GeO 2 + 2Cl 2 (2)<br />

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<strong>TECH</strong>/2<br />

Die maximale Umsetzung zu GeO 2 erfolgt bei T 1800K. Der Umsetzungswirkungsgrad ist jedoch<br />

relativ gering und liegt in der Gröÿenordnung von maximal 25 %.<br />

1. OVD-Verfahren (outside vapour deposition; Abb. 2)<br />

Abbildung 2: OVD-Verfahren für Faservorformen (Bild aus: Unger, Optische Nachrichtentechnik I)<br />

SiCl 4 und GeCl 4 liegen bei Raumtemperatur als Flüssigkeiten vor. Sauersto perlt durch diese<br />

Flüssigkeiten und nimmt als Trägergas Dämpfe dieser Verbindungen auf. Als Brenner wird normalerweise<br />

ein H 2 O 2 -(Knallgas)-Brenner verwendet. Das Glas wird schichtweise abgeschieden.<br />

Die Steuerung des relativen Anteils von SiO 2 und GeO 2 und damit des Brechzahlprols erfolgt<br />

durch Steuerung des Trägergases (O 2 ), das durch die Behälter mit SiCl 4 und GeCl 4 strömt. Es<br />

entsteht eine poröse Abscheidung (Glasruÿ). Die poröse Glasvorform lässt sich jedoch reinigen.<br />

Durch Spülen mit Chlorgas (Dehydrierung) kann z.B. der OH-Gehalt reduziert werden.<br />

H 2 O + Cl 2 ! 2<br />

HCl<br />

}{{}<br />

Salzsäure<br />

+ 1 2 O 2 (3)<br />

Die Reaktion ndet bei Temperaturen oberhalb von 1200 C statt. Gleichzeitig ergibt sich dann<br />

eine Verglasung der porösen Vorform. Derartige Vorformen wurden mit einer Masse von bis zu<br />

beispielsweise 1800 g (11 cm Durchmesser und 80 cm Länge) hergestellt, was eine Faserlänge<br />

von bis zu ca. 50 km erlaubt.<br />

2. VAD-Verfahren (vapour axial deposition)<br />

Beim VAD-Verfahren erfolgt die Abscheidung im Gegensatz zum OVD-Verfahren nicht radial,<br />

sondern axial (Abb. 3).<br />

Wie beim OVD-Verfahren werden auch hier H 2 O 2 -Brenner eingesetzt. Die Vorform dreht sich<br />

und die beiden Brenner passieren unterschiedliche Anteile von SiCl 4 und GeCl 4 , so dass durch<br />

eine geeignete Anordnung der Brenner das Brechzahlprol bestimmt wird. Die Dehydrierung<br />

und Verglasung erfolgt beim VAD-Verfahren ähnlich wie beim OVD-Verfahren, jedoch in einem<br />

Arbeitsgang.<br />

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<strong>TECH</strong>/3<br />

Abbildung 3: VAD-Verfahren zur Herstellung von Faservorformen (Bild aus: Unger, Optische Nachrichtentechnik<br />

I)<br />

Da es sich um einen geschlossenen Prozess handelt, ist ein sehr geringer OH-Gehalt bis unterhalb<br />

1 ppb (parts per billion ^= 1 Teil OH auf 10 9 Teile SiO 2 ) erzielbar. Dies entspricht<br />

einer Dämpfungserhöhung bei = 1; 39µm aufgrund der OH-Verunreinigungen von weniger als<br />

0; 04dB=km.<br />

3. MCVD-Verfahren (modied chemical vapour deposition)<br />

Ausgangspunkt ist ein Quarzrohr (es bildet später den Fasermantel), in das die Reaktionsgase<br />

eingeleitet werden (Abb. 4).<br />

Abbildung 4: MCVD-Verfahren zur Herstellung von Faservorformen (Bild aus: Unger, Optische Nachrichtentechnik<br />

I)<br />

Die Bildung von SiO 2 und die Verglasung erfolgt hier in einem Schritt. Es werden ca. 30 bis 100<br />

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<strong>TECH</strong>/4<br />

Schichten aufgewachsen. Eine Änderung der Brechzahl ist von Schicht zu Schicht durch eine<br />

Änderung der Gasüsse möglich. Da die Reaktion nur innerhalb des Quarzrohres stattndet,<br />

besteht nur eine geringe Gefahr von Verunreinigungen. Ein Nachteil des MCVD-Verfahrens besteht<br />

darin, dass keine Dehydrierung möglich ist, da keine poröse Vorform entsteht. Man erhält<br />

zunächst ein Quarzrohr mit abgeschiedenen dotierten Schichten (siehe Abb. 5a). Die Vorform<br />

ergibt sich nach Kollabieren des Vorformrohres. Bei Temperaturen von 2000 C zieht sich das<br />

Rohr durch Oberächenspannung zu einem Stab zusammen (siehe Abb. 5b). Der OH-Gehalt<br />

liegt bei MCVD-Fasern typischerweise in der Gröÿenordnung von weniger als 1ppm.<br />

Abbildung 5: (a) Quarzrohr mit abgeschiedenen Schichten, (b) kollabiertes Vorformrohr, (c) Herstellung<br />

der Faser durch Ziehen aus der Vorform<br />

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<strong>TECH</strong>/5<br />

2 Faserherstellung<br />

Abb. 5 zeigt eine schematische Darstellung eines Ziehofens. Der Ziehofen ist Teil der Faserziehmaschine<br />

(Abb. 6).<br />

Abbildung 6: Schematische Darstellung einer Faserziehmaschine (Bild aus: Unger, Optische Nachrichtentechnik<br />

I)<br />

Die Ziehgeschwindigkeit beträgt typischerweise mehr als 10m/s. Beim Ziehprozess werden die Fasern<br />

zum Schutz mit einer Kunststoumhüllung (Dicke in der Gröÿenordnung von ca. 50µm) versehen.<br />

Es gibt auch die Möglichkeit, einen Quarzfaden mit einem verlustarmen Kunststo geringerer Brechzahl<br />

(z.B. Silikonharz) zu beschichten. Dabei entspricht der Quarzfaden dem Faserkern und die Kunststobeschichtung<br />

dem Fasermantel. Solche Fasern werden auch PCS-Fasern (plastic-clad-silica) genannt.<br />

Die Dämpfungscharakteristik einer solchen Faser ist in Abb. 7 dargestellt. Solche Fasern sind<br />

Vielmoden-Stufenfasern und können für kurze Übertragungsstrecken (z.B. in Fahrzeugen) eingesetzt<br />

werden.<br />

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<strong>TECH</strong>/6<br />

Abbildung 7: Dämpfungscharakteristik einer Faser mit Quarzglaskern und Silikonharz-Mantel (Bild aus:<br />

Unger, Optische Nachrichtentechnik I)<br />

3 Festigkeit von Fasern<br />

Der fertige Lichtwellenleiter besteht aus der eigentlichen Quarzglas-Faser sowie der während des Ziehprozesses<br />

(siehe Abb. 6) aufgebrachten Kunststoumhüllung. Die erzielbare Festigkeit ist dabei ausschlieÿlich<br />

durch die Festigkeit des Quarzglases gegeben. Tatsächlich kann Quarzglas sehr stark belastet<br />

werden (Bruchdehnung ca. 5 %), solange die Oberäche nicht durch Kratzer oder ähnliches<br />

gestört ist. Die Kunststoumhüllung hat deshalb ausschlieÿlich die Aufgabe, die Quarzglas-Oberäche<br />

der Faser vor Kratzern oder sonstigen Beschädigungen zu schützen. Es ergibt sich dann eine sehr<br />

hohe Festigkeit, wobei die Festigkeit von Fasern als Prozentsatz der bei einer gegebenen Zugspannung<br />

gebrochenen Fasern angegeben werden kann. Dieser Zusammenhang wird im sogenannten<br />

Weibull-Diagramm aufgetragen. Ein Beispiel für Fasern hoher Festigkeit ist in Abb. 8 dargestellt.<br />

Aus Abb. 8 ergibt sich eine Festigkeit von ungefähr 4GPa = 410 9 N/m 2 , d.h. für eine Faser mit<br />

einem Durchmesser von 125µm eine Festigkeit von ca. 50 N.<br />

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<strong>TECH</strong>/7<br />

Abbildung 8: Weibull-Diagramm: Fehlerraten in Abhängigkeit von der Zugspannung für 20 m und 1<br />

km Probenlänge einer hochfesten Faser (Bild aus: Unger, Optische Nachrichtentechnik I)<br />

4 Verkabelung von Fasern<br />

Die Verkabelung sollte so realisiert werden, dass möglichst keine mechanische Beanspruchung der Faser<br />

und keine Mikrokrümmungen auftreten. Ein häug angewandtes Verfahren ist die Hohlader-Technik.<br />

Bis zu ca. 20 Fasern werden in eine Hohlader lose eingelegt. Im allgemeinen wird die Hohlader dann noch<br />

mit einer gel-artigen Füllmasse gefüllt. Kabel lassen sich aus Vielfachen dieser Hohlader aufbauen. Die<br />

Abbildungen 9, 10 und 11 zeigen Beispiele dafür, wobei die Verkabelungskräfte durch ein Stützelement<br />

(häug aus Stahl oder hochwertigen Kunststoen, z.B. Kevlar) aufgenommen werden (siehe auch:<br />

R. Engel, "Lichtwellenleiterkabel", in E. Voges, K. Petermann, "Optische Kommunikationstechnik",<br />

Springer, 2002).<br />

Abbildung 9: Beispiel für ein Faserkabel mit einer Hohlader, hier bezeichnet als Bündelader (Bild aus:<br />

Unger, Optische Nachrichtentechnik I)<br />

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<strong>TECH</strong>/8<br />

Abbildung 10: Beispiel für 70-faseriges Kabel (Bild aus: Unger, Optische Nachrichtentechnik I)<br />

Abbildung 11: Beispiel für 2000-faseriges Kabel (Bild aus: Unger, Optische Nachrichtentechnik I)<br />

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