Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von Seltenerdoxid-Filmen
auf Si(111)
Normalized Intensity (arb. units)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
O1s photoelectrons
Reflectivity
Si−O−Ce
f c
= 0.24
Φ c
= 0.39
(a)
O1s photoelectrons
Reflectivity
Si−O−Ce
SiO x
(b)
(1) (1-Cl)
f c = 0.54
f Φ c c = 0.35 = 0.39 f c = 0.85
Φ c = 0.61
Φ c = 0.65
SiO x
−0.5 0 0.5 1
Normalized Intensity (arb. units)
0
−0.5 0 0.5
E−E (eV) Bragg
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Reflectivity
Si−O−Ce
(c)
−0.5 0 0.5
E−E (eV) Bragg
Reflectivity
Si−O−Ce
SiO x
SiO x
(5) (5-Cl)
f c = 0.20
f c = 0.69
Φ c = 0.29 f c = 0.13 Φ c = 0.36 f c = 0.26
Φ c = 0.53
Φ c = 0.67
(d)
O1s photoelectrons
Reflectivity
Si−O−Ce
SiO x
(e)
(5-Ga)
f c = 0.30
Φ c = 0.33 f c = 0.21
Φ c = 0.56
0
−0.5 0 0.5 1
E−E (eV) Bragg
−0.5 0 0.5 1
E−E Bragg
(eV)
E−E Bragg
(eV)
Abb. 4.18 Chemisch sensitive XSW-Daten (offene Symbole) und theoretische Anpassung
nach der dynamischen Theorie der Röntgenbeugung (durchgezogene
Linien) unter Verwendung von O1s-Photoelektronen für die Spezies
Si-O-Ce und SiO x in (111)-Bragg-Reflexion bei einer Photonenenergie
von 2,6 keV (1)–(1-Cl) und 3,35 keV (5)–(5-Ga) nach dem Wachstum
von 2 Å (1)–(1-Cl) und 6 Å (5)–(C-Ga)e 2 O 3 auf nicht passiviertem,
Chlor-passiviertem und Gallium-passiviertem Si(111) bei einer Substrattemperatur
von 500 ℃ und einem Sauerstoffhintergrunddruck von
p O2 = 1 × 10 −7 mbar bzw. p O2 = 5 × 10 −7 mbar (Präparationsbedingungen
(1), (1-Cl), (5), (5-Cl) und (5-Ga)). Die O1s-XSW-Daten (1) und
(Cl-1) entstammen der Diplomarbeit [62].
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