Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4.2 Charakterisierung ultradünner Ceroxid-Filme
Normalized Intensity (arb. units)
Normalized Intensity (arb. units)
Normalized Intensity (arb. units)
0.9
0.7
5
0.9
0.7
0.5
0.3
5
0.9
0.7
0.5
0.3
5
O1s
Fit
Backgr.
SiOx
Si−O−Ce
CeOx
O1s
(1)
Fit
0.9 Backgr.
(1-Cl)
SiOx
Si−O−Ce
0.7
CeOx
Normalized Intensity (arb. units)
4 3 2 1 0 −1 −2 5 4 3 2 1 0 −1 −2
O1sRelative Binding Energy (eV)
O1sRelative Binding Energy (eV)
Fit
Fit
(5) 0.9
(5-Cl)
Backgr.
Backgr.
SiOx
SiOx
Si−O−Ce
Si−O−Ce
0.7
CeOx
CeOx
4 3 2 1 0 −1 −2
O1sRelative Binding Energy (eV)
Fit
(5-Ga)
Backgr.
SiOx
Si−O−Ce
CeOx
4 3 2 1 0 −1
Relative Binding Energy (eV)
−2
Normalized Intensity (arb. units)
Normalized Intensity (arb. units)
0.5
0.5
0.3
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
5
5
4 3 2 1 0 −1 −2
O1sRelative Binding Energy (eV)
Fit
(5-Ag)
Backgr.
SiOx
Si−O−Ce
CeOx
4 3 2 1 0 −1
Relative Binding Energy (eV)
−2
Abb. 4.17 O1s-XPS-Spektren von ultradünnen Ce 2 O 3 -Filmen mit einer Schichtdicke
von 2 Å (1)–(1-Cl) und 6 Å (5)–(5-Ag) gewachsen bei 500 ℃
Substrattemperatur und einem Sauerstoffhintergrunddruck von p O2 =
1 × 10 −7 mbar (1)–(1-Cl) und p O2 = 5 × 10 −7 mbar (5)–(5-Ag) auf
nicht passiviertem, Chlor-passiviertem, Gallium-passiviertem und Silberpassiviertem
Si(111) (Präparationsbedingungen (1), (1-Cl), (5), (5-Cl),
(5-Ga), (5-Ag)). Die verwendete Photonenenergie betrug für (5)–(5-
Ga) 3,35 keV und für (1), (1-Cl) und (5-Ag) 2,6 keV. Sämtliche Spektren
bis auf (1-Cl) (E pass = 50 eV) wurden bei einer Passenergie von
30 eV aufgenommen. Die Spektren (1) und (1-Cl) entstammen der Diplomarbeit
[62].
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