Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultradünner Seltenerdoxid ... - E-LIB

4 Strukturelle und chemische Zusammensetzung von Seltenerdoxid-Filmen
auf Si(111)
on von Chlor vor dem Wachstum von Ce 2 O 3 (5-Cl) führt zu einer Unterdrückung
der SiO x -Spezies im Si1s-XPS-Spektrum. Bei der Gallium-Passivierung (5-Ga) ist
erneut eine deutliche SiO x -Intensität im Spektrum vorhanden, wobei hier ein deutlich
höherer mittlerer Oxidationszustand von SiO 1,9 vorliegt. Die Gaußbreite der
SiO x -Spezies ist im Gegensatz zum nicht passivierten Wachstum bei gleichem Sauerstoffhintergrunddruck
(5) um 0,2 eV schmaler und deutet deshalb auf eine geringere
Verteilung der Oxidationszustände innerhalb der SiO x -Spezies hin. Weiterhin
ist die integrale Intensität der SiO x -Spezies für (5-Ga) auf 66 % der integralen
Intensität der SiO x -Spezies für das nicht passivierte Wachstum (5) gefallen. Dies
bedeutet, dass es beim Wachstum von Ce 2 O 3 auf Gallium-passiviertem Si(111) zu
einer geringeren Oxidation des Substrates kommt. Für das Wachstum von Ce 2 O 3 auf
Silber-passiviertem Si(111) findet man den geringsten mittleren Oxidationszustand
von SiO 1,5 . Die SiO x -Spezies weist dabei jedoch eine beachtliche Gaußbreite auf, die
0,4 eV breiter ist als für (5) und 0,6 eV breiter als für (5-Ga). Daraus ist zu schließen,
dass beim Ce 2 O 3 -Wachstum auf Silber-passiviertem Si(111) die größte Streuung von
Siliziumoxidationszuständen vorliegt. Ein direkter Vergleich der integralen Intensitäten
der SiO x -Spezies für das (5-Ag)-XPS-Spektrum mit den (5)-, (5-Cl)- und
(5-Ga)-XPS-Spektren aus Abb. 4.16 gestaltet sich schwierig, da dieses Spektrum
bei einer Photonenenergie von 2,6 keV im Gegensatz zu 3,35 keV aufgenommen wurde.
Das Spektrum weist deshalb allein aufgrund der geringeren Ausdringtiefe der
Photoelektronen ein anderes Intensitätsverhältnis zwischen Siliziumvolumensignal
und SiO x -Spezies auf.
Um die spektroskopischen Informationen der Si1s-XPS-Analyse zu ergänzen, zeigt
Abb. 4.17 O1s-XPS-Spektren, die erneut unter Verwendung von 3,35 keV Photonenenergie
für (5), (5-Cl) und (5-Ga) und 2,6 keV Photonenenergie für (1), (1-Cl)
und (5-Ag) mit einer Passenergie von 30 eV aufgenommen wurden. Lediglich das
(1-Cl)-XPS-Spektrum wurde mit E pass = 50 eV aufgenommen. Zunächst fällt auf,
dass sämtliche O1s-Spektren bis auf die Spektren (1-Cl) und (5-Cl) des Chlorpassivierten
Wachstums den gleichen qualitativen Verlauf aufweisen. Der Gittersauerstoff
CeO x ist ausschließlich für die Präparionsbedingungen (1-Cl) und (5-Cl) die
dominierende Spezies in den O1s-Spektren. Die anderen untersuchten Präparationsbedingungen
weisen stets die Silikatspezies Si-O-Ce als stärkste integrale Intensität
auf. Für die quantitative Analyse wurden die Spektren mit Hilfe dreier Spezies angepasst,
die dem Gittersauerstoff im Ce 2 O 3 -Film (CeO x -Spezies), dem Sauerstoff im
Silikat (Si-O-Ce-Spezies) und der Oxidation des Siliziumsubstrates (SiO x ) entsprechen.
Ausgehend von den relativen Bindungsenergien dieser Spezies, die Hirschauer
et al. [34] angeben, konnte eine optimale konsistente Anpassung an die O1s-Spektren
gefunden werden, wenn die folgenden relativen Bindungsenergien ausgehend von der
CeO x -Spezies verwendet wurden: Si-O-Ce: (1,0 ± 0,1) eV und SiO x : (2,1 ± 0,1) eV.
Für die Lorentzbreite der Voigt-Profile wurde nach Prince et al. [163] ein Wert von
0,15 eV angenommen. Für die Gaußbreite der SiO x -Spezies wurde zum Teil ein etwas
größerer Wert verwendet als für die CeO x - und Si-O-Ce-Spezies, um der Verteilung
der Siliziumoxidationszustände, die durch die Si1s-Analyse bestimmt wurde, Rech-
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